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品牌介绍

美光制造的创新内存和存储解决方案有助于推动当今最重大、最具破坏性的技术突破,如人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗甚至太空探索。通过开创更快、更高效的数据收集、存储和管理方式,他们正在帮助变革和改善世界交流、学习和进步的方式。在40多年的历史中,他们为行业的发展贡献了40000多项专利,是一家由34000名全球多元化团队成员组成的包容性公司,他们在18个不同的国家生活和工作。

英文全称: Micron Technology Inc.

中文全称: 镁光

英文简称: Micron

品牌地址: http://www.micron.com/

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描述
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MT40A512M16JY-062E:B
MT40A512M16JY-062E:B
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 8Gb (512M x 16) 电源电压: 1.14伏~1.26伏 时钟频率: 1.6千兆赫 供应商设备包装: 96-FBGA(8x14)

¥80.87500

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EMFA164A2PK-DV-F-D
EMFA164A2PK-DV-F-D
IC SDRAM LPDDR3 16GBIT 256MX64 F

¥50.43475

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MT53D4DANY-DC
MT53D4DANY-DC
IC SDRAM LPDDR4 4G NA QDP

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MT53D4DBNY-DC
MT53D4DBNY-DC
IC SDRAM LPDDR4 4G NA QDP

¥40.30729

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EDFA364A3PK-GD-F-D
EDFA364A3PK-GD-F-D
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Gb (256M x 64) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 800 MHz

¥37.57288

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MT40A2G8FSE-083E:A
MT40A2G8FSE-083E:A
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Gb (2G x 8) 电源电压: 1.14伏~1.26伏 时钟频率: 1.2千兆赫 供应商设备包装: 78-FBGA (9.5x13)

¥119.85126

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MT53D8DAHR-DC
MT53D8DAHR-DC
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 电源电压: 1.1伏 供应商设备包装: 366-WFBGA (12x12.7)

¥42.98383

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MT53D4DFSB-DC
MT53D4DFSB-DC
IC SDRAM LPDDR4 32GBIT 512MX64 F

¥196.11103

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MT29F32G08CBADBWPR:DTR
MT29F32G08CBADBWPR:DTR
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MT29F4G01ABBFD12-AAT:F
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MT29F8G01ADAFD12-AAT:F
MT29F8G01ADAFD12-AAT:F
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¥143.55911

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MT29F4G08ABAFAH4-IT:F
MT29F4G08ABAFAH4-IT:F
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¥65.30853

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M25P20-VMN6TPB
M25P20-VMN6TPB
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MT35XL512ABA1G12-0SIT
MT35XL512ABA1G12-0SIT
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¥151.22148

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M25P128-VMF6TPB
M25P128-VMF6TPB
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¥25.08427

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M25P16-VMF6TP
M25P16-VMF6TP
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M25P16-VMN6TP
M25P16-VMN6TP
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M25P40-VMN6TPB
M25P40-VMN6TPB
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M25P80-VMN6TP
M25P80-VMN6TP
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M25P64-VMF6TP
M25P64-VMF6TP
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