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品牌介绍

美光制造的创新内存和存储解决方案有助于推动当今最重大、最具破坏性的技术突破,如人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗甚至太空探索。通过开创更快、更高效的数据收集、存储和管理方式,他们正在帮助变革和改善世界交流、学习和进步的方式。在40多年的历史中,他们为行业的发展贡献了40000多项专利,是一家由34000名全球多元化团队成员组成的包容性公司,他们在18个不同的国家生活和工作。

英文全称: Micron Technology Inc.

中文全称: 镁光

英文简称: Micron

品牌地址: http://www.micron.com/

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品牌型号
描述
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M29F400FB5AM62
M29F400FB5AM62
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8, 256K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-SO

¥21.61489

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5-7 工作日

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合计: ¥21.61489

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EDB8164B4PT-1DAT-F-R
EDB8164B4PT-1DAT-F-R
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 8Gb (128M x 64) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 533 MHz 供应商设备包装: 216-FBGA (12x12)

¥164.61463

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合计: ¥164.61463

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M29F400FT55M32
M29F400FT55M32
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8, 256K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-SO

¥47.98969

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5-7 工作日

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合计: ¥47.98969

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MTEDFAE16SCA-1P2IT
MTEDFAE16SCA-1P2IT
IC FLASH SLC 16GB TSOP

¥43.80850

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5-7 工作日

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合计: ¥43.80850

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M29F400FT5AM62
M29F400FT5AM62
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8, 256K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-SO

¥7.00242

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合计: ¥7.00242

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MT43A4G80200NFH-S15:A
MT43A4G80200NFH-S15:A
HMC 32G NANA HBBGA 8DP

¥605.01446

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5-7 工作日

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合计: ¥605.01446

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BK58F0088HVX001A
BK58F0088HVX001A
NOR FLASH 256MX16 PLASTIC PBF TF

¥29.61559

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5-7 工作日

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合计: ¥29.61559

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MT51K256M32HF-70:B
MT51K256M32HF-70:B
存储类型: Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 8Gb (256M x 32) 电源电压: 1.3伏~1.545伏 时钟频率: 1.75千兆赫

¥165.20781

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5-7 工作日

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合计: ¥165.20781

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BK58F0094HVX000A
BK58F0094HVX000A
NOR FLASH 128MX16 PLASTIC PBF TF

¥102.18607

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5-7 工作日

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合计: ¥102.18607

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MT52L1DAPF-DC
MT52L1DAPF-DC
LPDDR3 8G

¥25.98417

0

5-7 工作日

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合计: ¥25.98417

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BK58F0095HVX010A
BK58F0095HVX010A
NOR FLASH 256MX32 PLASTIC PBF TF

¥20.66002

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥20.66002

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MT28HL16GPBB3EBK-0GCT
MT28HL16GPBB3EBK-0GCT
NOR FLASH 512MX32 PLASTIC 3.3V

¥33.52189

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5-7 工作日

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合计: ¥33.52189

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MT28HL32GQBA6EBL-0GCT
MT28HL32GQBA6EBL-0GCT
NOR FLASH 512MX64 PLASTIC 3.3V

¥17.36136

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5-7 工作日

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合计: ¥17.36136

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MT52L4DAGN-DC
MT52L4DAGN-DC
SPECIAL/CUSTOM LPDDR3

¥42.50640

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合计: ¥42.50640

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MT53B1DATG-DC
MT53B1DATG-DC
LPDDR4 8G

¥129.89191

0

5-7 工作日

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合计: ¥129.89191

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MT53B2DARN-DC
MT53B2DARN-DC
LPDDR4 8G DDP

¥106.77236

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5-7 工作日

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合计: ¥106.77236

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MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.8D
MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.8D
IC FLASH 4GIBT LPPDR

¥23.79953

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5-7 工作日

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合计: ¥23.79953

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MT41K128M16JT-17:K
MT41K128M16JT-17:K
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 供应商设备包装: 96-FBGA(8x14)

¥11.71892

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5-7 工作日

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合计: ¥11.71892

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MT41K512M8DA-93:P
MT41K512M8DA-93:P
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (512M x 8) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 1.066千兆赫 供应商设备包装: 78-FBGA (8x10.5)

¥68.57159

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合计: ¥68.57159

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MT53B4DCNY-DC
MT53B4DCNY-DC
SPECIAL/CUSTOM LPDDR4

¥27.48882

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合计: ¥27.48882

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