
美光制造的创新内存和存储解决方案有助于推动当今最重大、最具破坏性的技术突破,如人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗甚至太空探索。通过开创更快、更高效的数据收集、存储和管理方式,他们正在帮助变革和改善世界交流、学习和进步的方式。在40多年的历史中,他们为行业的发展贡献了40000多项专利,是一家由34000名全球多元化团队成员组成的包容性公司,他们在18个不同的国家生活和工作。
图片  | 品牌型号  | 描述  | 价格  | 库存  | 交期  | 数量  | 操作  | 
|---|---|---|---|---|---|---|---|
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Tb (256G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 267兆赫   | ¥78.84621  | 0 | 5-7 工作日  | -  +  合计: ¥78.84621  | 添加到BOM  立即询价  | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 384Gb (48G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: Die   | ¥15.34046  | 0 | 5-7 工作日  | -  +  合计: ¥15.34046  | 添加到BOM  立即询价  | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 384Gb (48G x 8) 电源电压: 2.5伏~3.6伏 供应商设备包装: Die   | ¥480.27670  | 0 | 5-7 工作日  | -  +  合计: ¥480.27670  | 添加到BOM  立即询价  | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 6Gb (384M x 16) 电源电压: 1.1伏   | ¥69.86501  | 0 | 5-7 工作日  | -  +  合计: ¥69.86501  | 添加到BOM  立即询价  | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 6Gb (384M x 16) 电源电压: 1.1伏   | ¥15.31149  | 0 | 5-7 工作日  | -  +  合计: ¥15.31149  | 添加到BOM  立即询价  | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Tb (128G x 8) 电源电压: 2.5伏~3.6伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 132-VBGA (12x18)   | ¥13.19656  | 0 | 5-7 工作日  | -  +  合计: ¥13.19656  | 添加到BOM  立即询价  | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Gb (64G x 8) 供应商设备包装: 100-LBGA(14x18)   | ¥25.56744  | 0 | 5-7 工作日  | -  +  合计: ¥25.56744  | 添加到BOM  立即询价  | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1.125Gb(32Mb x 36) 电源电压: 1.28伏~ 1.42伏 时钟频率: 1.2千兆赫 供应商设备包装: 168-BGA (13.5x13.5)   | ¥39.29998  | 0 | 5-7 工作日  | -  +  合计: ¥39.29998  | 添加到BOM  立即询价  | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1.125Gb(64Mb x 18) 电源电压: 1.28伏~ 1.42伏 时钟频率: 1.2千兆赫 供应商设备包装: 168-BGA (13.5x13.5)   | ¥695.39966  | 0 | 2-3 工作日  | -  +  合计: ¥695.39966  | 立即购买  加入购物车  | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 133兆赫   | ¥20.68572  | 0 | 5-7 工作日  | -  +  合计: ¥20.68572  | 添加到BOM  立即询价  | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V   | ¥35.01218  | 0 | 5-7 工作日  | -  +  合计: ¥35.01218  | 添加到BOM  立即询价  | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH, RAM 存储容量: 4Gb (512M x 8)(NAND), 8Gb (512M x 16)(LPDDR2) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 533 MHz 供应商设备包装: 162-VFBGA (10.5x8)   | ¥17.25259  | 0 | 5-7 工作日  | -  +  合计: ¥17.25259  | 添加到BOM  立即询价  | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Tb (256G x 8) 电源电压: 2.5伏~3.6伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 132-VBGA (12x18)   | ¥74.70327  | 0 | 5-7 工作日  | -  +  合计: ¥74.70327  | 添加到BOM  立即询价  | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Gb (64G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 83 MHz 供应商设备包装: 152-LBGA (14x18)   | ¥19.45443  | 0 | 5-7 工作日  | -  +  合计: ¥19.45443  | 添加到BOM  立即询价  | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Tb (512G x 8) 电源电压: 2.5伏~3.6伏 时钟频率: 333兆赫   | ¥22.42402  | 0 | 5-7 工作日  | -  +  合计: ¥22.42402  | 添加到BOM  立即询价  | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (512M x 8) 电源电压: 1.283V~1.45V   | ¥59.86981  | 0 | 5-7 工作日  | -  +  合计: ¥59.86981  | 添加到BOM  立即询价  | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 8Gb (512M x 16) 电源电压: 1.14伏~1.95伏   | ¥59.95673  | 0 | 5-7 工作日  | -  +  合计: ¥59.95673  | 添加到BOM  立即询价  | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Gb (64G x 8)   | ¥77.10791  | 0 | 5-7 工作日  | -  +  合计: ¥77.10791  | 添加到BOM  立即询价  | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8, 256K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-SO   | ¥18.07828  | 0 | 5-7 工作日  | -  +  合计: ¥18.07828  | 添加到BOM  立即询价  | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 533 MHz 供应商设备包装: 134-FBGA (10x11.5)   | ¥23.16279  | 0 | 5-7 工作日  | -  +  合计: ¥23.16279  | 添加到BOM  立即询价  |