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品牌介绍

美光制造的创新内存和存储解决方案有助于推动当今最重大、最具破坏性的技术突破,如人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗甚至太空探索。通过开创更快、更高效的数据收集、存储和管理方式,他们正在帮助变革和改善世界交流、学习和进步的方式。在40多年的历史中,他们为行业的发展贡献了40000多项专利,是一家由34000名全球多元化团队成员组成的包容性公司,他们在18个不同的国家生活和工作。

英文全称: Micron Technology Inc.

中文全称: 镁光

英文简称: Micron

品牌地址: http://www.micron.com/

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品牌型号
描述
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MT46V64M16TG-75:A
MT46V64M16TG-75:A
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP

¥27.39265

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5-7 工作日

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合计: ¥27.39265

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M50FLW040BN5G
M50FLW040BN5G
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 33兆赫 供应商设备包装: 40-TSOP

¥37.51822

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合计: ¥37.51822

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M29F010B70K6E
M29F010B70K6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-PLCC (11.35x13.89)

¥910.41804

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5-7 工作日

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合计: ¥910.41804

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M50FLW040BNB5G
M50FLW040BNB5G
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 33兆赫 供应商设备包装: 32-TSOP

¥29.69589

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合计: ¥29.69589

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MT46V64M4FG-75E:G
MT46V64M4FG-75E:G
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (64M x 4) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 60-FBGA (8x14)

¥109.90377

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合计: ¥109.90377

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M29F010B70N6E
M29F010B70N6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-TSOP

¥62.70903

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合计: ¥62.70903

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M50FLW080AK5G
M50FLW080AK5G
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Mb (1M x 8) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 33兆赫 供应商设备包装: 32-PLCC (11.35x13.89)

¥130.73435

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5-7 工作日

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合计: ¥130.73434

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MT46V64M4FG-75:G
MT46V64M4FG-75:G
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (64M x 4) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 60-FBGA (8x14)

¥71.53088

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合计: ¥71.53088

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M29F040B45K1
M29F040B45K1
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-PLCC (11.35x13.89)

¥56.48013

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合计: ¥56.48013

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M29F040B45K6E
M29F040B45K6E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-PLCC (11.35x13.89)

¥23.71326

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合计: ¥23.71326

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M50FLW080AN5G
M50FLW080AN5G
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Mb (1M x 8) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 33兆赫 供应商设备包装: 40-TSOP

¥202.75774

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合计: ¥202.75774

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MT46V64M4TG-75:G
MT46V64M4TG-75:G
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (64M x 4) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP

¥84.84333

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合计: ¥84.84333

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M29F040B55N1
M29F040B55N1
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-TSOP

¥19.16471

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合计: ¥19.16471

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M29F040B70K1
M29F040B70K1
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-PLCC (11.35x13.89)

¥17.06427

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合计: ¥17.06427

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MT46V64M8BN-5B:D
MT46V64M8BN-5B:D
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 2.5伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 60-FBGA (10x12.5)

¥64.65013

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合计: ¥64.65013

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M29F040B70K6
M29F040B70K6
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-PLCC (11.35x13.89)

¥11.83490

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合计: ¥11.83490

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M50FLW080ANB5G
M50FLW080ANB5G
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Mb (1M x 8) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 33兆赫 供应商设备包装: 32-TSOP

¥10.90781

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合计: ¥10.90781

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M29F040B70N1
M29F040B70N1
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-TSOP

¥9.74894

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合计: ¥9.74894

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M29F040B70N6
M29F040B70N6
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-TSOP

¥56.46565

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合计: ¥56.46565

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M50FLW080BK5G
M50FLW080BK5G
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Mb (1M x 8) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 33兆赫 供应商设备包装: 32-PLCC (11.35x13.89)

¥66.02628

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