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品牌介绍

Alliance Memory,Inc.是一家为通信、计算、工业和消费市场提供传统内存产品的全球供应商。该公司支持与主流数字信号处理器(DSP)和微控制器一起使用的全系列3.3 V和5 V异步SRAM;同步SRAM、低功耗SRAM和ZMD低功耗SRAM。Alliance Memory还提供同步DRAM(SDR)、DDR1、DDR2和DDR3产品。

英文全称: Alliance Memory, Inc.

中文全称: 联盟内存

英文简称: Alliance Memory

品牌地址: https://www.alliancememory.com/

久芯自营
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描述
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AS1C8M16PL-70BIN
AS1C8M16PL-70BIN
存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 49-FBGA (4x4)

¥49.47988

497

5-7 工作日

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合计: ¥49.47988

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PC28F128P33BF60A
PC28F128P33BF60A
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 52 MHz 供应商设备包装: 64-EasyBGA (10x13)

¥43.83743

528

5-7 工作日

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合计: ¥43.83743

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AS7C34098A-10TIN
AS7C34098A-10TIN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP2

¥45.50123

765

5-7 工作日

- +

合计: ¥45.50123

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AS4C64M32MD2A-25BIN
AS4C64M32MD2A-25BIN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (64M x 32) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 134-FBGA (10x11.5)

¥80.26589

1854

2-3 工作日

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合计: ¥80.26589

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AS7C38098A-10BIN
AS7C38098A-10BIN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (512K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8)

¥82.73254

69

2-3 工作日

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合计: ¥82.73254

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N25Q064A13EF8A0F
N25Q064A13EF8A0F
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (16M x 4) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-VDFPN (MLP8) (8x6)

¥12.65933

16

5-7 工作日

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合计: ¥12.65933

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N25Q032A13ESCA0F
N25Q032A13ESCA0F
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (8M x 4) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-SO

¥11.06787

1752

5-7 工作日

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合计: ¥11.06787

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AS4C4M16SB-6TIN
AS4C4M16SB-6TIN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II

¥59.19963

0

2-3 工作日

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合计: ¥59.19963

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AS6C1616-55TIN
AS6C1616-55TIN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥68.22653

7379

2-3 工作日

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合计: ¥68.22653

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AS4C64M16D3LA-12BCN
AS4C64M16D3LA-12BCN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-FBGA(8x13)

¥35.44611

0

5-7 工作日

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合计: ¥35.44611

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PC28F640P30BF65B
PC28F640P30BF65B
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 52 MHz 供应商设备包装: 64-EasyBGA (10x13)

¥44.45221

1672

2-3 工作日

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合计: ¥44.45221

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AS7C3256A-12TCN
AS7C3256A-12TCN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 28-TSOP I

¥4.78635

42

2-3 工作日

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合计: ¥4.78635

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AS7C4098A-15JCN
AS7C4098A-15JCN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-SOJ

¥45.50123

149

5-7 工作日

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合计: ¥45.50123

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AS7C4098A-20JIN
AS7C4098A-20JIN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-SOJ

¥47.88842

39

5-7 工作日

- +

合计: ¥47.88842

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AS7C34098B-10BIN
AS7C34098B-10BIN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8)

¥48.68415

496

5-7 工作日

- +

合计: ¥48.68415

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AS6C4008-55STIN
AS6C4008-55STIN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.7伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-sTSOP

¥25.73715

10093

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合计: ¥25.73715

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AS4C64M16D1A-6TCN
AS4C64M16D1A-6TCN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP II

¥119.80578

0

2-3 工作日

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合计: ¥119.80578

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AS4C256M8D2-25BIN
AS4C256M8D2-25BIN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 60-FBGA (8x10)

¥118.01090

0

2-3 工作日

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AS4C64M16D1A-6TIN
AS4C64M16D1A-6TIN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP II

¥207.73403

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AS4C256M16D3C-93BCN
AS4C256M16D3C-93BCN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 1.066千兆赫 供应商设备包装: 96-FBGA(7.5x13.5)

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