品牌介绍
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划，以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 75A (Tc) 最大功耗: 595W (Tc) 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥158.04008 | 553 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥158.04008 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A（Tc） 最大功耗: 235W（Tc） 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥21.36656 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥21.36656 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.1A（Ta） 最大功耗: 1.4W（Tj） 供应商设备包装: 6-MicroFET (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.99760 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.99760 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 90A (Tc) 最大功耗: 375W (Tc) 供应商设备包装: TO-3PN 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥50.48301 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥50.48301 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 65A (Tc) 最大功耗: 417W (Tc) 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度 | ¥74.16730 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥74.16730 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | MOSFET N-CH 30V 14A 8SOIC | ¥2.60744 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,158.96363 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | MOSFET N-CH 20V SC75 | ¥0.50700 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥370.11219 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A（Ta） 最大功耗: 55W (Tj) 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥6.37375 | 13374 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6.37375 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | MOSFET N-CH 60V 12A DPAK | ¥4.13077 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10,326.92750 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.6A (Tc) 最大功耗: 56W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥10.08936 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10,089.36000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 900 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Tc) 最大功耗: 47W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥6.54411 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6,544.10500 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 222A（Tc） 最大功耗: 45W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥31.31888 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥31,318.87900 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Tc) 最大功耗: 59W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F-3 (Y-Forming) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥17.02082 | 117 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥17.02082 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A（Ta） 最大功耗: 2.4W（Ta） 供应商设备包装: 6-MicroFET (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥34.78041 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥34.78041 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 900 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Tc) 最大功耗: 240W（Tc） 供应商设备包装: TO-3PN 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥12.89236 | 900 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,178.80918 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | MOSFET N-CH 30V 78A SO8FL | ¥3.83874 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,165.04767 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A（Tc） 最大功耗: 38W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥109.23742 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥109.23742 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 120毫安（Ta） 最大功耗: 350mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥12.70405 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.70405 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A（Ta）、63A（Tc） 最大功耗: 1.4W（Ta），54.6W（Tc） 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥0.72429 | 7105 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,089.57665 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.5A (Ta), 36A (Tc) 最大功耗: 1.38W（Ta），24.6W（Tc） 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥2.46259 | 18225 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.46259 | 添加到BOM 立即询价 |