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品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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描述
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S25FS512SDSNFV010
S25FS512SDSNFV010
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 80 MHz 供应商设备包装: 8-WSON (6x8)

¥54.75632

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合计: ¥92,538.18756

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S25FS512SAGBHV213
S25FS512SAGBHV213
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 24-BGA (8x6)

¥54.75632

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合计: ¥136,890.81000

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CY7C1380C-167BGC
CY7C1380C-167BGC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥123.63630

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合计: ¥123.63630

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S25FS512SAGMFV011
S25FS512SAGMFV011
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC

¥54.75632

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合计: ¥12,867.73614

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S25FS512SAGMFV013
S25FS512SAGMFV013
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC

¥54.75632

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S25FS512SAGNFV011
S25FS512SAGNFV011
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (6x8)

¥54.75632

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合计: ¥22,450.09284

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S25FS512SDSMFV011
S25FS512SDSMFV011
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 80 MHz 供应商设备包装: 16-SOIC

¥54.75632

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S25HS01GTFAMHI010
S25HS01GTFAMHI010
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC

¥126.53346

235

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合计: ¥126.53346

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S25FS512SDSNFV011
S25FS512SDSNFV011
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 80 MHz 供应商设备包装: 8-WSON (6x8)

¥54.75632

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合计: ¥22,450.09284

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CY7C008V-25AC
CY7C008V-25AC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 512Kb (64K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥127.90961

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合计: ¥127.90961

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S25FS512SDSNFV013
S25FS512SDSNFV013
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 80 MHz 供应商设备包装: 8-WSON (6x8)

¥54.75632

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合计: ¥136,890.81000

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CY7C266-25PC
CY7C266-25PC
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EPROM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏

¥135.22494

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CY7C136-30JI
CY7C136-30JI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 52-PLCC (19.13x19.13)

¥135.22494

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合计: ¥135.22494

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CY15B102Q-SXE
CY15B102Q-SXE
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FRAM 存储容量: 2Mb (256K x 8) 电源电压: 2V~3.6V 时钟频率: 25兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥136.31138

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合计: ¥136.31138

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CY7C1041G30-10ZSXIT
CY7C1041G30-10ZSXIT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥52.04552

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合计: ¥52,045.52400

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CY7C1049G30-10ZSXIT
CY7C1049G30-10ZSXIT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥52.04552

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合计: ¥52,045.52400

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S25HL512TFABHI010
S25HL512TFABHI010
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 24-BGA (8x6)

¥53.87124

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CY62157EV30LL-55ZSXET
CY62157EV30LL-55ZSXET
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (512K x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥85.06786

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S70KS1282GABHB030
S70KS1282GABHB030
存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 24-FBGA (6x8)

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S70KS1282GABHV020
S70KS1282GABHV020
存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 24-FBGA (6x8)

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