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品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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S29GL512T11TFIV30
S29GL512T11TFIV30
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 1.65伏~3.6伏 供应商设备包装: 56-TSOP

¥54.32175

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5-7 工作日

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合计: ¥49,432.79250

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CY7C1020DV33-10ZSXIT
CY7C1020DV33-10ZSXIT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 512Kb (32K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥3.02525

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2-3 工作日

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合计: ¥196.64132

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CY62138FV30LL-45ZAXIT
CY62138FV30LL-45ZAXIT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (256K x 8) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-sTSOP

¥38.28076

1500

5-7 工作日

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合计: ¥57,421.13250

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S27KS0641DPBHV023
S27KS0641DPBHV023
存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 24-FBGA (6x8)

¥27.14835

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5-7 工作日

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合计: ¥67,870.86250

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S29GL512T11TFIV33
S29GL512T11TFIV33
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 1.65伏~3.6伏 供应商设备包装: 56-TSOP

¥54.32175

0

5-7 工作日

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合计: ¥54,321.75000

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S29GL512T11FHIV33
S29GL512T11FHIV33
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (13x11)

¥54.32175

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5-7 工作日

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合计: ¥86,914.80000

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CY62147EV30LL-45B2XI
CY62147EV30LL-45B2XI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-VFBGA (6x8)

¥40.56024

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5-7 工作日

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合计: ¥2,190.25296

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S29GL512T11FHIV23
S29GL512T11FHIV23
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (13x11)

¥54.32175

0

5-7 工作日

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合计: ¥86,914.80000

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S29GL512T11FHIV40
S29GL512T11FHIV40
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (13x11)

¥54.32175

0

5-7 工作日

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合计: ¥97,779.15000

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S29GL512T10DHI013
S29GL512T10DHI013
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (9x9)

¥54.32175

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5-7 工作日

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合计: ¥119,507.85000

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S29GL512T11FHIV43
S29GL512T11FHIV43
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (13x11)

¥54.32175

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥86,914.80000

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S29GL512T11FHIV30
S29GL512T11FHIV30
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (13x11)

¥4.72925

336

2-3 工作日

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合计: ¥8,512.65360

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S25FL256LAGNFV011
S25FL256LAGNFV011
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (6x8)

¥31.17974

0

5-7 工作日

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合计: ¥38,351.08389

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S25FL256LDPNFV011
S25FL256LDPNFV011
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 66 MHz 供应商设备包装: 8-WSON (6x8)

¥31.17974

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥38,351.08389

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CY7C1011G30-12ZSXET
CY7C1011G30-12ZSXET
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (128K x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥54.58163

0

5-7 工作日

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合计: ¥54,581.62500

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CY7C1041G30-10ZSXET
CY7C1041G30-10ZSXET
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥54.58163

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥54,581.62500

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S25HS01GTFABHI030
S25HS01GTFABHI030
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 24-BGA (8x6)

¥119.87000

1300

5-7 工作日

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合计: ¥119.87000

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S25HL01GTFABHI030
S25HL01GTFABHI030
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 24-BGA (8x6)

¥119.87000

2580

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合计: ¥119.87000

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CY7C025AV-25AC
CY7C025AV-25AC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 128Kb (8K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥122.18772

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合计: ¥122.18772

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CY7C025-55JC
CY7C025-55JC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 128Kb (8K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 84-PLCC (29.31x29.31)

¥122.18772

0

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合计: ¥244.37545

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