品牌介绍
意法半导体是一家全球独立的半导体公司，在开发和提供微电子应用领域的半导体解决方案方面处于领先地位。硅和系统专业知识、制造实力、知识产权（IP）组合和战略合作伙伴的无与伦比的结合使该公司处于片上系统（SoC）技术的前沿，其产品在推动当今的融合趋势方面发挥着关键作用。
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图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A（Tc） 最大功耗: 110W（Tc） 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥14.41337 | 59 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14.41337 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Tc) 最大功耗: 52W (Tc) 供应商设备包装: PowerFlat（5x6）高压 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥14.63066 | 544 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14.63066 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 40A (Tc) 最大功耗: 30W (Tc) 供应商设备包装: TO-220FP 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥14.70309 | 759 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14.70309 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 525 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A (Tc) 最大功耗: 70W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥12.31293 | 2754 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.31293 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 24伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Tc) 最大功耗: 100W（Tc） 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥16.15167 | 8623 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥16.15167 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A（Tc） 最大功耗: 153W（Tc） 供应商设备包装: HiP247 工作温度: -55摄氏度~200摄氏度（TJ） | ¥139.86040 | 574 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥139.86040 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.5A (Tc) 最大功耗: 48W (Tc) 供应商设备包装: PowerFlat（5x6） 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥20.71469 | 56 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥20.71469 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 620 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.4A (Tc) 最大功耗: 125W（Tc） 供应商设备包装: I2PAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥14.99280 | 950 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14.99280 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A (Tc) 最大功耗: 25W（Tc） 供应商设备包装: TO-220FP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥5.82691 | 100 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥5.82691 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A (Tc) 最大功耗: 45W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥14.99280 | 49 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14.99280 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 620 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.4A (Tc) 最大功耗: 125W（Tc） 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥20.93198 | 813 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥20.93198 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A (Tc) 最大功耗: 45W (Tc) 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥12.45779 | 1992 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.45779 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A (Tc) 最大功耗: 45W (Tc) 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥12.53022 | 2714 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.53022 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Tc) 最大功耗: 70W (Tc) 供应商设备包装: TO-251 (IPAK) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥12.60265 | 2270 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.60265 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 65A (Tc) 最大功耗: 50W (Tc) 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥7.74990 | 546 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7.74990 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IC POWER MOSFET 1200V HIP247 | ¥196.78959 | 599 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥196.78959 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 620 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.2A (Tc) 最大功耗: 70W (Tc) 供应商设备包装: TO-251 (IPAK) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥12.67508 | 2525 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.67508 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A (Tc) 最大功耗: 60W (Tc) 供应商设备包装: TO-220 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥12.74750 | 1003 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.74750 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A（Tc） 最大功耗: 70W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.68978 | 94 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥4.68978 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.6A (Tc) 最大功耗: 90W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥12.89236 | 2030 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.89236 | 添加到BOM 立即询价 |