品牌介绍
意法半导体是一家全球独立的半导体公司，在开发和提供微电子应用领域的半导体解决方案方面处于领先地位。硅和系统专业知识、制造实力、知识产权（IP）组合和战略合作伙伴的无与伦比的结合使该公司处于片上系统（SoC）技术的前沿，其产品在推动当今的融合趋势方面发挥着关键作用。
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图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A（Tc） 最大功耗: 25W（Tc） 供应商设备包装: I2PAKFP (TO-281) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥11.66107 | 1487 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11.66107 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 620 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.5A (Tc) 最大功耗: 90W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥13.76151 | 831 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13.76151 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 400伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.6A (Tc) 最大功耗: 60W (Tc) 供应商设备包装: TO-220 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥13.76151 | 742 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13.76151 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Tc) 最大功耗: 60W (Tc) 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥13.83394 | 214 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13.83394 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 110A（Tc） 最大功耗: 150W（Tc） 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥19.33854 | 416 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥19.33854 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A（Tc） 最大功耗: 20W（Tc） 供应商设备包装: TO-220FP 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥6.80833 | 264 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6.80833 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A（Tc） 最大功耗: 25W（Tc） 供应商设备包装: TO-220FP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥19.77312 | 931 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥19.77312 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Tc) 最大功耗: 60W (Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥14.19608 | 900 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14.19608 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 13A（Tc） 最大功耗: 110W（Tc） 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥19.77312 | 141 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥19.77312 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Tc) 最大功耗: 110W（Tc） 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥19.84555 | 998 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥19.84555 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Tc) 最大功耗: 95W（Tc） 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥12.09564 | 1853 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.09564 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.4A（Tc） 最大功耗: 45W (Tc) 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥12.16807 | 5017 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.16807 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 620 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.5A（Tc） 最大功耗: 45W (Tc) 供应商设备包装: TO-220 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥7.09804 | 976 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7.09804 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Tc) 最大功耗: 110W（Tc） 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥14.34094 | 188 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14.34094 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 13A（Tc） 最大功耗: 110W（Tc） 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥20.06283 | 143 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥20.06283 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 260A（Tc） 最大功耗: 166W（Tc） 供应商设备包装: PowerFlat（5x6） 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥14.34094 | 59 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14.34094 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Tc) 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥20.13526 | 70 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥20.13526 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IC POWER MOSFET 1200V HIP247 | ¥117.11769 | 593 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥117.11769 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A (Tc) 最大功耗: 4W (Ta), 67W (Tc) 供应商设备包装: PowerFLAT（5x5） 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥2.71319 | 100 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥2.71319 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A（Tc） 最大功耗: 90W (Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥20.35255 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥20.35255 | 添加到BOM 立即询价 |