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品牌介绍

安世 是分立、逻辑和 MOSFET 器件领域的全球领导者。这家新公司在 2017 年初成为一家独立的公司。 安世 专注于效率,并始终如一生产令客户信赖的高容量半导体元件:每年 850 亿。该公司广泛的产品组合符合汽车行业设定的严格标准。本公司的制造工厂生产的行业领先的小型封装融合了功率和热效率与一流的质量水平。 安世 已从事本专业领域半个多世纪,在亚洲、欧洲和美国拥有 11,000 名员工为全球客户提供支持。

英文全称: Nexperia

中文全称: 安世

英文简称: Nexperia

品牌地址: http://www.nexperia.cn

久芯自营
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描述
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操作
PEMB16,115
PEMB16,115
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 供应商设备包装: SOT-66

¥0.65842

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥4,885.49866

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PUMB16,115
PUMB16,115
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 供应商设备包装: SOT-363

¥0.26222

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥3,933.22500

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PUMB20,115
PUMB20,115
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 供应商设备包装: SOT-363

¥0.26222

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥3,933.22500

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PEMD12,115
PEMD12,115
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 供应商设备包装: SOT-66

¥0.45516

60

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.45516

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NHUMB9F
NHUMB9F
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 80V 最大功率: 350mW 特征频率: 150MHz 供应商设备包装: 6-TSSOP

¥0.36994

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥3,699.38000

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NHUMD10F
NHUMD10F
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 80V 最大功率: 350mW 特征频率: 170MHz、150MHz 供应商设备包装: 6-TSSOP

¥7.31458

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥73,145.76000

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NHUMD13X
NHUMD13X
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 80V 最大功率: 350mW 特征频率: 170MHz、150MHz 供应商设备包装: 6-TSSOP

¥7.31458

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥21,943.72800

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PUMD4,115
PUMD4,115
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 供应商设备包装: 6-TSSOP

¥0.52293

2950

2-3 工作日

- +

合计: ¥1,568.79000

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PUMH14,115
PUMH14,115
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 供应商设备包装: 6-TSSOP

¥0.27932

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥837.94500

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PUMD24,115
PUMD24,115
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 20毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 供应商设备包装: 6-TSSOP

¥0.33726

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥1,011.77400

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PUMD20,115
PUMD20,115
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 供应商设备包装: 6-TSSOP

¥0.33832

1260

2-3 工作日

- +

合计: ¥1,014.96900

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PUMB17,115
PUMB17,115
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 供应商设备包装: 6-TSSOP

¥0.35178

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥1,055.34000

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PUMH24,115
PUMH24,115
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 20毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 供应商设备包装: 6-TSSOP

¥0.43820

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥1,314.58500

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PUMD19,115
PUMD19,115
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 供应商设备包装: 6-TSSOP

¥0.35178

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥1,055.34000

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PUMH9,125
PUMH9,125
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 供应商设备包装: 6-TSSOP

¥0.57450

680

2-3 工作日

- +

合计: ¥1,723.50000

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PUMH18,115
PUMH18,115
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 供应商设备包装: 6-TSSOP

¥0.37953

300

2-3 工作日

- +

合计: ¥1,138.58400

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PUMD18,115
PUMD18,115
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 供应商设备包装: 6-TSSOP

¥0.44026

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥1,320.78000

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NHUMH1X
NHUMH1X
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 80V 最大功率: 350mW 特征频率: 170MHz 供应商设备包装: 6-TSSOP

¥0.36987

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥7,767.18600

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PQMH10Z
PQMH10Z
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 350mW 特征频率: 230兆赫 供应商设备包装: DFN1010B-6

¥0.19236

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.19236

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PQMH13Z
PQMH13Z
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 230毫瓦 特征频率: 230兆赫 供应商设备包装: DFN1010B-6

¥0.49127

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥2,456.35500

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