品牌介绍
安世 是分立、逻辑和 MOSFET 器件领域的全球领导者。这家新公司在 2017 年初成为一家独立的公司。 安世 专注于效率，并始终如一生产令客户信赖的高容量半导体元件：每年 850 亿。该公司广泛的产品组合符合汽车行业设定的严格标准。本公司的制造工厂生产的行业领先的小型封装融合了功率和热效率与一流的质量水平。 安世 已从事本专业领域半个多世纪，在亚洲、欧洲和美国拥有 11,000 名员工为全球客户提供支持。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 晶体管类别: 2 NPN-预偏置（双） 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 80V 最大功率: 350mW 特征频率: 170MHz 供应商设备包装: 6-TSSOP | ¥7.25152 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥7.25152 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类别: 1个NPN预偏置，1个PNP 最大集电极电流 (Ic): 100毫安、500毫安 集电极击穿电压: 50V, 15V 最大功率: 300mW 特征频率: 280兆赫 供应商设备包装: 6-TSSOP | ¥0.34562 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1,036.85100 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类别: 1个NPN，1个PNP-预偏置（双） 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 供应商设备包装: 6-TSSOP | ¥0.26001 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥2,600.13000 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类别: 1个NPN，1个PNP-预偏置（双） 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 供应商设备包装: 6-TSSOP | ¥0.35178 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1,055.34000 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类别: 2 PNP-预偏置（双） 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 供应商设备包装: 6-TSSOP | ¥0.29913 | 500 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.29913 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类别: 1个NPN，1个PNP-预偏置（双） 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 供应商设备包装: 6-TSSOP | ¥0.44296 | 160 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.44296 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类别: 2 PNP-预偏置（双） 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 供应商设备包装: 6-TSSOP | ¥0.31961 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.31961 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类别: 1个NPN，1个PNP-预偏置（双） 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 供应商设备包装: 6-TSSOP | ¥0.24481 | 30 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.24481 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类别: 1个NPN，1个PNP-预偏置（双） 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 供应商设备包装: 6-TSSOP | ¥0.26222 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥2,622.15000 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类别: 1个NPN预偏置，1个PNP 最大集电极电流 (Ic): 100毫安、500毫安 集电极击穿电压: 50V, 40V 最大功率: 300mW 特征频率: 300MHz 供应商设备包装: 6-TSSOP | ¥0.34562 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.34562 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类别: 2 NPN-预偏置（双） 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 供应商设备包装: 6-TSSOP | ¥0.35826 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.35826 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类别: 2 NPN-预偏置（双） 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 230毫瓦 特征频率: 230兆赫 供应商设备包装: DFN1010B-6 | ¥0.34406 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.34406 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类别: 1个NPN预偏置，1个PNP 最大集电极电流 (Ic): 100毫安，1A 集电极击穿电压: 50V, 20V 最大功率: 600mW 特征频率: 185兆赫 供应商设备包装: 6-TSOP | ¥0.81139 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.81139 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类别: 1个NPN，1个PNP-预偏置（双） 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 80V 最大功率: 350mW 特征频率: 170MHz、150MHz 供应商设备包装: 6-TSSOP | ¥7.25152 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥7.25152 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类别: 1个NPN预偏置，1个PNP 最大集电极电流 (Ic): 100毫安、700毫安 集电极击穿电压: 50V, 60V 最大功率: 600mW 特征频率: 185兆赫 供应商设备包装: 6-TSOP | ¥0.34562 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.34562 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类别: 1个NPN预偏置，1个PNP 最大集电极电流 (Ic): 100毫安、500毫安 集电极击穿电压: 50V, 40V 最大功率: 300mW 特征频率: 300MHz 供应商设备包装: 6-TSSOP | ¥1.41941 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1.41941 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类别: 1个NPN预偏置，1个PNP 最大集电极电流 (Ic): 100毫安，1A 集电极击穿电压: 50V, 20V 最大功率: 600mW 特征频率: 185兆赫 供应商设备包装: 6-TSOP | ¥0.61900 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.61900 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类别: 1个NPN预偏置，1个PNP 最大集电极电流 (Ic): 100毫安、700毫安 集电极击穿电压: 50V, 40V 最大功率: 600mW 特征频率: 150MHz 供应商设备包装: 6-TSOP | ¥0.61900 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.61900 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类别: 2 NPN-预偏置（双） 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 供应商设备包装: SOT-66 | ¥0.65842 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥5,487.29728 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类别: 2 PNP-预偏置（双） 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 供应商设备包装: SOT-66 | ¥0.65842 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.65842 | 立即购买 加入购物车 |