GaN(氮化镓)晶体管是一种功率晶体管，针对大电流、高压击穿和高开关频率进行了优化。GS-065-060-3具有Island Technology 电池布局，在使用片上金属传输更多电流的同时减少了设备的尺寸。GaNPX 包装在小包装中实现低电感和低热阻。这些特性结合起来提供了非常高效的电源开关。


GaN Systems GS-065-060-3 650V增强模式GaN晶体管有两种变体。GS-065-060-3-B是底部侧冷却型晶体管，而GS-065-060-3-T是顶部侧冷却型晶体管。这两种器件都为高功率应用提供了非常低的结到外壳热阻。


特性

  • 增强模式功率晶体管

  • 650V漏源极电压(V(DS))

  • 25毫欧漏源通电阻(R(DS(on)))

  • 60A连续漏极电流(I(DS))

  • 简单栅极驱动要求(0V到6V)

  • -20V/+10V门源电压-瞬态(V(GS(transient))

  • 大于10MHz的开关频率

  • 快速和可控的上升和下降时间

  • 逆向传导能力

  • 零反向回收损失

  • 双栅垫，优化板布局

  • -55°C至+150°C工作结温度(T(j))

  • 0.27°C /W接合到外壳的热阻(R(西塔JC))

  • 包

    • GS-065-060-3-B:底部冷却，低电感GaNPX封装

    • GS-065-060-3-T:顶冷，低电感GaNPX封装

  • 维

    • GS-065-060-3-B: 11.0mm x 9.0mm x 0.45mm

    • GS-065-060-3-T: 9.2mm x 7.8mm x 0.49mm

  • 符合RoHS 3 (6+4)


应用程序

  • 交直流转换器

  • 直流-直流转换器

  • 无桥图腾柱PFC

  • 逆变器

  • 能量存储系统

  • 车载电池充电器

  • 不间断电源

  • 太阳能

  • 工业马达驱动器

  • 激光驱动程序

  • 牵引驱动

  • 无线电力传输


数据表

  • gs - 065 - 060 - 3 - b(冷却)

  • gs - 065 - 060 - 3 - t(冷却)


gs - 065 - 060 - 3 b计划大纲



gs - 065 - 060 - 3 - t计划大纲

gs - 065 - 060 - 3 - t计划大纲