什么是峰值反向电压及其工作
我们知道有不同类型的导电材料，即Cu、Al、Ge、Si等。这些材料被称为半导体，用于多种电子设备。这些半导体材料是很好的导体。。。
我们知道有不同类型的导电材料，即Cu、Al、Ge、Si等。这些材料被称为半导体，用于多种电子设备。这些半导体材料是良好的导电体，它们具有良好的导电性。这些材料具有1eV的轻微禁带，电子从一个带转移到另一个带，就像价带一样传导。PN结二极管的形成可以使用P型和N型两种材料的制造方法来完成。这种二极管可以用硅材料制成，这种硅材料被称为硅二极管。本文对峰值反向电压（PIV）进行了概述。
什么是峰值反向电压？
当PN结二极管在不伤害自身的情况下抵抗反向电压的最大值时，称为PIV（峰值反向电压）。PIV的评级可能因制造商而异。但是，如果在反向偏置条件下PN结两端的电压增强超过这个特定值，那么PN结就会断开。
它也可以定义为二极管在受到损坏之前，在反向偏置的条件下抵抗最高电压。在上图中，PN结被用作整流器，其主要功能是将交流电转换为直流电。因此，在负半周期间，必须小心，因为交流电压的最高值必须低于二极管PIV的额定值。
峰值反向电压的重要性是什么？
术语PIV代表“峰值反向电压”，它是PN结二极管不导通时出现的最大电压。当二极管以反向偏置方式连接时，它不导通，这意味着PIV是二极管端子上的最大电压，一旦它以反向偏置的方式连接到电路中。
每个二极管都有一个基于制造商的特定PIV值。反向偏压中的电压必须超过该PIV，否则二极管将损坏。通常，与锗（锗）二极管相比，硅（硅）二极管的最高额定PIV更高。二极管在反向非导电区域内可以抵抗的最大峰值电压被称为PIV。因此，在这个最大电压之前，二极管可以阻挡反向电流的传导，因为二极管是单向器件。
如果二极管的电压高于施加在PN结二极管两端的PIV，那么它在雪崩击穿过程中传播。因此，势垒会损坏&高脉冲电流会在整个相反的方向上提供。这种高电流会损坏二极管和设备。因此，电压应该更高的PIV，这样可以保护de设备。
PIV计算
对于峰值反向电压计算，可以考虑以下电路。硅二极管的PIV的计算可以在二极管的反向偏置中进行。在下面的电路中，有两个二极管，即D1和D2。在这里，二极管“D2”以反向偏置连接，因此变压器的次级绕组的完整电压将在其两端下降。
这里，假设D1二极管两端的电压降为零。D1二极管以正向偏置连接，而D2以反向偏置连接。因此，PIV是二极管连接到变压器次级绕组的反向电压的峰值。在电路中，设点A和点B为GND端子的-Esm和+Esm。D1两端的电压降可以忽略不计。
因此，D2二极管两端反向电压的峰值为“2Esm”
二极管的PIV为2Esm=直流时的πE | Idc=0
这里，Esm是变压器二次绕组的一半上的交流电压的最大值。
如果假设二极管两端的电压降为0.7V，则反向偏置二极管的峰值反向电压可以给出为，
PIV=2平方米–0.7
使用上述二极管公式的峰值反向电压是因为一次可以简单地导通一个二极管。
半波整流器中的PIV
为了获得峰值反向电压的基本概念，我们必须关注半导体二极管反向偏置后端子两端出现的电压。在这里，二极管被一个断开的开关所取代，如下所示。
从上述电路中，我们可以观察到，当二极管以反向偏压连接时，二极管端子两端出现的电压相当于“VmSinωt”，即交流电源电压的-Ve半周期。这里，这是正弦曲线形式。
当正弦交流电源的峰值为“Vm”时，二极管两端的最高电压为反向偏置，也可等效于“Vm’。因此，HWR（半波整流器）中半导体二极管的PIV等于电压源的峰值。
桥式整流器中的PIV
全波桥式整流器的电路图如下所示。在该电路中，两个二极管短路。由于在电压供应的+ve半周期内，对角相对的两个二极管可能导通，因此它们短路。我们可以观察到，铰削两个二极管两端的电压可以相当于电源电压&它们是反向偏置的。
因此，在每个不导电二极管上被最大反向偏置的电压可以等于电压供应电压的峰值。因此，桥式整流器内二极管的PIV可以等于电压源的峰值。
因此，像半波、桥式和中心抽头FWR这样的整流器中二极管的PIV是Vm，相应地，其中“Vm”是电压源的峰值。
因此，这一切都是关于半导体二极管、桥式整流器和半波整流器的峰值反向电压或PIV的概述。这里有一个问题要问你，整流电路的PIV额定值是多少？