存储器是一种在集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件有多种格式:CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM(非易失性或易失性)。这些器件的内存大小范围为 64 b 至 6 Tb,接口包括 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-Wire。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 16-SOP | ¥22.74898 | 3425 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥22.74898 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 512Kb (64K x 8) 电源电压: 1.7伏~3伏 时钟频率: 10兆赫 供应商设备包装: 8-PDIP | ¥16.74205 | 269 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥16.74205 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 1Kb (64 x 16) 电源电压: 1.7伏~5.5伏 时钟频率: 3兆赫 供应商设备包装: 8-TSSOP-B | ¥3.89686 | 3000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.89686 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 1.65V~2V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (8x6) | ¥24.11360 | 44015 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥24.11360 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Mb (256K x 8) 电源电压: 1.65V~2V 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-USON (2x3) | ¥3.25171 | 1053 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥3.25171 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Mb (512K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-TFBGA | ¥16.09392 | 640 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥16.09392 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 1.65V~2V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (8x6) | ¥70.91845 | 6259 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥70.91845 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 128Kb (16K x 8) 电源电压: 1.6伏~5.5伏 时钟频率: 1兆赫 供应商设备包装: VSON008X2030 | ¥4.04118 | 27014 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.04118 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥15.50588 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥15.50588 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥63.14350 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥63.14350 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 4Kb (512 x 8, 256 x 16) 电源电压: 1.8伏~5.5伏 时钟频率: 2兆赫 供应商设备包装: 8-TSSOP | ¥2.88656 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,193.78560 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥8.35586 | 47795 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥8.35586 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (512K x 16) 电源电压: 2.5伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-miniBGA (7.2x8.7) | ¥81.25493 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥81.25493 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥18.54615 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥18.54615 | 添加到BOM 立即询价 | ||
SRAM CHIP ASYNC SINGLE 3V 2M BIT | ¥2.88656 | 28000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,193.78560 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-SOP | ¥5.64250 | 6760 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥5.64250 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-FBGA(7.5x13.5) | ¥87.67926 | 13075 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥87.67926 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 28-TSOP | ¥10.92058 | 47 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥10.92058 | 立即购买 加入购物车 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (128K x 16) 电源电压: 2.5伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥20.56674 | 593 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥20.56674 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-FBGA(7.5x13.5) | ¥300.67466 | 7865 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥300.67466 | 立即购买 加入购物车 |