分立场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明和其他应用,其在承载大量电流的同时以高频开关的特性具有优势。它们几乎普遍用于需要几百伏或更低额定电压的应用,高于该电压的其他器件类型(例如 IGBT)将变得更具竞争力。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A(Tc) 最大功耗: 64W (Tc) 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥1.81073 | 5222 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,176.49145 | 添加到BOM 立即询价 | ||
N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥49.39658 | 6497 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,173.44943 | 添加到BOM 立即询价 | ||
N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥28.60946 | 500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,174.31858 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.3A (Tc) 最大功耗: 24W(Tc) 供应商设备包装: TO-220F 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥1.81073 | 4081 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,176.49145 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 24伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 240A(Tc) 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO263-7 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥16.65867 | 3026 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,182.28577 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 40A (Tc) 最大功耗: 313W (Tc) 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥49.39658 | 10800 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥49.39658 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A(Tc) 最大功耗: 25W(Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥1.81073 | 3542 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,176.49145 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A(Tc) 最大功耗: 79W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB-5 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥16.65867 | 1768 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,182.28577 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 350伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 13A(Tc) 最大功耗: 150W(Tc) 供应商设备包装: TO-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥28.68188 | 460 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,179.82318 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A(Tc) 最大功耗: 25W(Tc) 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥1.81073 | 3360 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,176.49145 | 添加到BOM 立即询价 | ||
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR | ¥16.65867 | 481 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,182.28577 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Tc) 最大功耗: 25瓦 供应商设备包装: TO-205AF (TO-39) | ¥28.97160 | 3356 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,172.87000 | 添加到BOM 立即询价 | ||
PFET TSOP6S 20V 0.098R TR | ¥1.81073 | 2800 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,176.49145 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 36A (Tc) 最大功耗: 446W (Tc) 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥50.12087 | 450 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥50.12087 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.6A (Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、32W(Tc) 供应商设备包装: TO-252-3 (DPAK) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥1.81073 | 2000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,176.49145 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A(Tc) 最大功耗: 208W(Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥29.26132 | 590 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,194.59870 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.5A(Tc) 最大功耗: 3.13W(Ta),49W(Tc) 供应商设备包装: D2PAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥1.81073 | 1574 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,850.08115 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 36A (Tc) 最大功耗: 446W (Tc) 供应商设备包装: TO-263 (IXFA) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥50.12087 | 395 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥50.12087 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 38A (Tc) 最大功耗: 310W (Tc) 供应商设备包装: TO-247AD 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥16.73110 | 3000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,175.04287 | 添加到BOM 立即询价 | ||
P-CHANNEL POWER MOSFET | ¥29.33375 | 1000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,200.03088 | 添加到BOM 立即询价 |