分立场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明和其他应用,其在承载大量电流的同时以高频开关的特性具有优势。它们几乎普遍用于需要几百伏或更低额定电压的应用,高于该电压的其他器件类型(例如 IGBT)将变得更具竞争力。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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P-CHANNEL SILICON MOSFET ULTRAHI | ¥1.23129 | 3018 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,220.02128 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A(Ta)、40A(Tc) 最大功耗: 2.1W(Ta)、37W(Tc) 供应商设备包装: PG-TSDSON-8-FL 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥4.54927 | 50 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥4.54927 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 65 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 28A(Tc) 最大功耗: 83W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥26.43659 | 1154 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥26.43659 | 添加到BOM 立即询价 | ||
NEXPERIA BUK9K5R1 - DUAL N-CHANN | ¥4.12845 | 6920 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,175.69473 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 最大功耗: 134瓦 供应商设备包装: TO-247-4L 工作温度: 175摄氏度(TJ) | ¥127.76476 | 80 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥127.76476 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET 650V NCH SIC TRENCH | ¥107.19492 | 288 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥107.19492 | 添加到BOM 立即询价 | ||
GENERAL-PURPOSE SWITCHING DEVICE | ¥1.23129 | 3000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,220.02128 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 42A (Tc) 最大功耗: 130W(Tc) 供应商设备包装: IPAK (TO-251AA) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥6.51861 | 1275 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,164.17852 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 180A(Tc) 最大功耗: 480W (Tc) 供应商设备包装: TO-263(D2Pak) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥43.45740 | 85 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥43.45740 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 195A(Tc) 最大功耗: 375W (Tc) 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥11.51621 | 4360 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,176.56388 | 添加到BOM 立即询价 | ||
RF1K4909096 - POWER FIELD-EFFECT | ¥4.12845 | 4500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,167.43783 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 36A (Tc) 最大功耗: 150W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO247-3-41 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥131.02406 | 27 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥131.02406 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.9A (Tc) 最大功耗: 130W(Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥6.59104 | 5225 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,181.63391 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 106A(Tc) 最大功耗: 833W (Tc) 供应商设备包装: T-MAX[B2] 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥113.35139 | 49 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥113.35139 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A(Ta)、20A(Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、27W(Tc) 供应商设备包装: 8-PQFN (5x6), Power56 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥1.30372 | 217483 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,212.41623 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 160A(Tc) 最大功耗: 200W(Tc) 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥11.58864 | 22760 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,178.66432 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 63A (Tc) 最大功耗: 200W(Tc) 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥4.12845 | 3180 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,167.43783 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A(Ta) 最大功耗: 255W(Tc) 供应商设备包装: TO-220 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥27.45059 | 5695 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥27.45059 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Tc) 最大功耗: 1300W(Tc) 供应商设备包装: TO-264AA (IXFK) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥131.74835 | 30 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥131.74835 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A(Ta)、78A(Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、37W(Tc) 供应商设备包装: PG-TDSON-8-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥6.59104 | 3215 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6.59104 | 添加到BOM 立即询价 |