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FDMS0310S具有引脚细节，包括卷筒包装，其设计为在0.002402盎司单位重量下工作，安装方式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供封装盒功能，如Power-56-8，技术设计为在Si中工作，以及2信道数，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为2 N沟道，器件提供2.5 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为4 ns，上升时间为5 ns，Vgs栅源电压为+/-20 V，Id连续漏电流为19 A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs栅极-源极阈值电压为1.9V，Rds导通漏极-漏极电阻为3.2mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为28ns，典型接通延迟时间为12ns，Qg栅极电荷为33nC，正向跨导最小值为97S，沟道模式为增强。
FDMS0312AS是MOSFET N-CH 30V 18A PT8，包括1.5 V Vgs栅极-源极阈值电压，设计用于+/-20 V Vgs栅-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于30 V，提供单位重量功能，如0.002610盎司，典型开启延迟时间设计为10 ns，该器件还可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为2.3 ns，器件的漏极-源极电阻为4.2 mOhms，Qg栅极电荷为23 nC，Pd功耗为2.5 W，封装为卷轴式，封装外壳为Power-56-8，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏极电流为18 A，正向跨导最小值为92 S，下降时间为6 ns，配置为单一，信道模式为增强。
FDMS0312S是MOSFET N-CH 30V 19A POWER56，包括4 ns的下降时间，它们设计为以97 S的最小正向跨导，Id连续漏极电流工作。数据表注释中显示了19 a中使用的电流，该19 a提供了SMD/SMT等安装样式功能，通道数设计为在1个通道中工作，以及Power-56-8封装盒，该装置也可以用作卷筒包装。此外，Pd功耗为2.5W，器件采用33 nC Qg栅极电荷，器件具有3.6mOhms的Rds漏极-源极电阻，上升时间为5ns，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为28ns，典型接通延迟时间为12ns，单位重量为0.002610盎司，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs栅极-源极电压为20V，Vgs第h栅极-源阈值电压为1.9V。
FDMS0310AS是MOSFET N-CH 30V 19A PT8，包括SMD/SMT安装类型，它们设计为使用Si技术操作，包装如数据表注释所示，用于卷筒，提供封装盒功能，如电源-56-8，晶体管极性设计为在N通道中工作，以及9 ns典型开启延迟时间，该器件也可以用作41W Pd功率耗散。此外，Vds漏极-源极击穿电压为30V，该器件的上升时间为3.9ns，该器件具有3.6mOhms的Rds漏极源极导通电阻，下降时间为3.2ns，Qg栅极电荷为27nC，典型关断延迟时间为25ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为19A，Vgsth栅极-源极阈值电压为1.5V，单位重量为0.002610盎司，最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃。
