RF 晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,流经器件的电流由电场控制。该系列中的器件设计用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管,类型包括E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N沟道、P沟道、pHEMT、碳化硅、2个N沟道和4个N沟道。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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晶体管类别: LDMOS 额定电压: 100伏 频率: 1.4GHz 输出端功率: 330瓦 供应商设备包装: NI-780S | ¥2,588.76889 | 387 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,588.76889 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: LDMOS 额定电压: 68 V 频率: 960兆赫 输出端功率: 10W 供应商设备包装: TO-270-2 GULL | ¥217.95440 | 599 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥217.95440 | 添加到BOM 立即询价 | ||
NCH 2.5V DRIVE SERIES | ¥1.30165 | 39000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,208.90344 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: pHEMT FET 额定电压: 8 V 频率: 3.55GHz 输出端功率: 1.5瓦 供应商设备包装: PLD-1.5 | ¥73.76028 | 2300 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,212.80840 | 添加到BOM 立即询价 | ||
PCH+NCH 4V DRIVE SERIES | ¥1.30165 | 36000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,208.90344 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: LDMOS 额定电压: 133伏 额定电流(单位:安培): 10A. 频率: 1.8MHz~250MHz 输出端功率: 115瓦 供应商设备包装: TO-220-3 | ¥236.61141 | 303 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥236.61141 | 添加到BOM 立即询价 | ||
CLF1G0035-200 - 200W BROADBAND R | ¥2,603.23169 | 251 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,603.23169 | 添加到BOM 立即询价 | ||
BLM9D2022-08AM/LGA7X7/REELDP | ¥103.69828 | 1783 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥103.69828 | 添加到BOM 立即询价 | ||
PCH+PCH 1.8V DRIVE SERIES | ¥1.30165 | 21000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,208.90344 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: LDMOS(双) 额定电压: 65 V 额定电流(单位:安培): 1.4A. 频率: 1.8GHz~2.2GHz 供应商设备包装: OMP-780-16G-1 | ¥351.59067 | 259 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥351.59067 | 添加到BOM 立即询价 | ||
NCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES | ¥1.30165 | 13000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,208.90344 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: 卷边 额定电压: 84 V 频率: 6GHz 输出端功率: 15W 供应商设备包装: Die | ¥412.14641 | 170 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4,121.46412 | 添加到BOM 立即询价 | ||
BLM9D3538-12AM/LGA7X7/REELDP | ¥113.74992 | 1260 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥113.74992 | 添加到BOM 立即询价 | ||
2 12V FET DRVR W/OUT DIS | ¥1.30165 | 7500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,208.90344 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: 卷边 额定电压: 84 V 频率: 6GHz 输出端功率: 30W 供应商设备包装: 12-DFN(4x3) | ¥499.03891 | 2471 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥499.03891 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: pHEMT FET 额定电压: 8 V 频率: 3.55GHz 输出端功率: 3瓦 供应商设备包装: PLD-1.5 | ¥85.61978 | 3984 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,226.11418 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: LDMOS 额定电压: 120伏 频率: 450兆赫 输出端功率: 1000W 供应商设备包装: NI-1230-4H | ¥3,927.51797 | 35 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3,927.51797 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: 卷边 额定电压: 100伏 额定电流(单位:安培): 9.5A 频率: 0Hz~4GHz 输出端功率: 37分贝m 供应商设备包装: 8-SOIC-EP | ¥432.29309 | 153 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥432.29309 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: pHEMT FET 额定电压: 15伏 频率: 3.55GHz 输出端功率: 3瓦 供应商设备包装: PLD-1.5 | ¥86.55986 | 285 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,250.55631 | 添加到BOM 立即询价 | ||
NCH 4V DRIVE SERIES | ¥1.37397 | 402000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,202.46750 | 添加到BOM 立即询价 |