RF 晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,流经器件的电流由电场控制。该系列中的器件设计用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管,类型包括E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N沟道、P沟道、pHEMT、碳化硅、2个N沟道和4个N沟道。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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CLF1G0060-10 - 10W BROADBAND RF | ¥647.98167 | 480 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,943.94502 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MRF6V3090 - N CHANNEL MOSFET | ¥804.63788 | 480 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,609.27576 | 添加到BOM 立即询价 | ||
LATERAL N-CHANNEL BROADBAND RF P | ¥1,502.68492 | 1000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,502.68492 | 添加到BOM 立即询价 | ||
A2T21H450W19 - AIRFAST RF POWER | ¥1,572.32330 | 150 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,572.32330 | 添加到BOM 立即询价 | ||
LDMOS BROADBAND RF POWER TRANSIS | ¥2,249.39928 | 640 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,249.39928 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: N通道JFET 额定电压: 25伏 额定电流(单位:安培): 30毫安 频率: 450兆赫 供应商设备包装: SOT-23-3 | ¥0.86777 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,086.11427 | 添加到BOM 立即询价 |