场效应晶体管 (FET) 是利用电场控制电流的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极晶体管,因为它们涉及单载流子类型操作。也就是说,FET 在其工作中使用电子或空穴作为电荷载流子,但不能同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下表现出非常高的输入阻抗。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 303A (Tc) 供应商设备包装: 32-PQFN (6x6) | ¥13.25451 | 3000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,173.73915 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥13.83394 | 1260 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,171.92842 | 添加到BOM 立即询价 | ||
HIGH SPEED SWITCHING N-CHANNEL | ¥13.90637 | 15334 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,169.39341 | 添加到BOM 立即询价 | ||
DISCRETE / POWER MOSFET | ¥14.05123 | 2146 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,177.94003 | 添加到BOM 立即询价 | ||
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 | ¥15.13766 | 113600 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,179.82318 | 添加到BOM 立即询价 | ||
75V N-CHANNEL MOSFET | ¥15.42738 | 21759 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,175.26016 | 添加到BOM 立即询价 | ||
N-CHANNEL, MOSFET | ¥15.42738 | 8787 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,175.26016 | 添加到BOM 立即询价 | ||
HIGH SPEED SWITCHING P CHANNEL , | ¥16.44138 | 5083 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,186.70394 | 添加到BOM 立即询价 | ||
HIGH SPEED SWITCHING P CHANNEL , | ¥16.44138 | 2526 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,186.70394 | 添加到BOM 立即询价 | ||
HIGH SPEED SWITCHING P CHANNEL , | ¥16.44138 | 215 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,186.70394 | 添加到BOM 立即询价 | ||
PFET, 120A I(D), 40V, 0.0023OHM, | ¥16.51381 | 31107 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,179.82318 | 添加到BOM 立即询价 | ||
N-CHANNEL MOSFET | ¥17.45539 | 2200 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,181.92363 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A 供应商设备包装: Power33 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥17.67268 | 86732 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,173.73915 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A(Tc)、10A(Tc 供应商设备包装: TO-263-5 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥18.75911 | 2259 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,176.05688 | 添加到BOM 立即询价 | ||
POWER MOSFET MOTOR DRIVERS | ¥20.64227 | 37609 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,188.08009 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2 N通道(半桥) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 800V 漏源电流 (Id) @ 温度: 56A 供应商设备包装: SP6 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥1,732.89280 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,664.46399 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.14A(Ta)、1.3A(Tc) 供应商设备包装: SC-70-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥3.83874 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.83874 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Ta), 3A (Ta) 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥1.89619 | 75 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥767.95736 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 104A 供应商设备包装: SP6-P 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥1,757.69249 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,788.46243 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 139A 供应商设备包装: SP6-P 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥1,789.47433 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,947.37166 | 添加到BOM 立即询价 |