9icnet为您提供由其他公司设计和生产的FDP023N08B，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FDP023N08B参考价格为2.13000美元。其他FDP023N08B封装/规格：75V N沟道MOSFET。您可以下载FDP023N08B英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FDP020N06B_F102带有引脚细节，包括PowerTrenchR系列，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，适用于0.063493盎司，具有通孔等安装方式功能，包装盒设计用于to-220-3以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ）。此外，安装类型为通孔，器件提供1个通道数量的通道，器件具有供应商器件封装的TO-220-3，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为333W，晶体管类型为1 N通道，漏极到源极电压Vdss为60V，输入电容Cis-Vds为20930pF@30V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为120A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为2 mOhm@100A，10V，Vgs最大Id为4.5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为268nC@10V，Pd功耗为333 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，Id连续漏极电流为313 A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Rds漏极上源极电阻为1.65mOhm，晶体管极性为N沟道。
FDN86501LZ，带有用户指南，包括1 V Vgs th栅极-源极阈值电压，它们设计为在+/-20 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于60 V，提供单位重量功能，如0.050717 oz，典型开启延迟时间设计为4.4 ns，以及9.6 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，器件采用Si技术，器件的上升时间为1.2 ns，漏极-源极电阻Rds为198 mOhms，Qg栅极电荷为3.8 nC，Pd功耗为1.5 W，封装为卷轴式，封装盒为SOT-23-3，沟道数为1沟道，安装方式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为2.6 A，下降时间为1.2 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
FDP020N06B是FAIRCHILD制造的MOSFET N-CH 60V 120A TO-220-3。FDP020N06B在TO-220-3封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 60V 120A TO-220-3。
