分立双极结型晶体管 (BJT) 通常用于构建音频、无线电和其他应用中的模拟信号放大功能。作为首批批量生产的半导体器件之一,其特性不如其他器件类型适用于涉及高频开关和高电流或高电压操作的应用,但它们仍然是需要模拟信号再现应用的首选,拥有最小的噪声和失真。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):30V 集电极电流(Ic):3A 功率(Pd):625mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@1A,2V GR档(200~400) | ¥0.43758 | 3400 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.43758 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类型:PNP 集射极击穿电压(Vceo):30V 集电极电流(Ic):2.4A 功率(Pd):390mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):230@1A,2V | ¥0.93782 | 7432 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.93782 | 立即购买 加入购物车 | ||
暂无 | ¥0.16146 | 8240 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.16146 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):50V 集电极电流(Ic):2A 功率(Pd):500mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@500mA,2V B档 200-400 | ¥0.35502 | 500 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.35502 | 立即购买 加入购物车 | ||
暂无 | ¥0.12032 | 7650 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.12032 | 立即购买 加入购物车 | ||
暂无 | ¥0.22841 | 7980 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.22841 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):45V 集电极电流(Ic):100mA 功率(Pd):300mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):420@2mA,5V | ¥0.06504 | 5100 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.06504 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):40V 集电极电流(Ic):600mA 功率(Pd):500mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,10V 丝印1P 100~300 | ¥0.35379 | 2040 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.35379 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):305V 集电极电流(Ic):200mA 功率(Pd):500mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,10V 100-300 | ¥0.42261 | 4010 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.42261 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):30V 集电极电流(Ic):3A 功率(Pd):10W 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):160@1A,2V | ¥0.38178 | 3950 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.38178 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类型:PNP 集射极击穿电压(Vceo):32V 集电极电流(Ic):2A 功率(Pd):500mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):180@500mA,3V 180-390 BCR | ¥0.39730 | 3890 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.39730 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):400V 集电极电流(Ic):200mA 功率(Pd):500mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@50mA,10V 100-200 CN | ¥0.67859 | 2195 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.67859 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):45V 集电极电流(Ic):100mA 功率(Pd):450mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@1mA,5V | ¥0.08958 | 7100 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.08958 | 立即购买 加入购物车 | ||
暂无 | ¥0.54713 | 3950 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.54713 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类型:PNP 集射极击穿电压(Vceo):50V 集电极电流(Ic):2A 功率(Pd):500mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):180@500mA,2V R档 180-390 | ¥0.50330 | 2560 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.50330 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类型:PNP 集射极击穿电压(Vceo):300V 集电极电流(Ic):50mA 功率(Pd):225mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):25@30mA,10V | ¥0.14626 | 5900 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.14626 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类型:PNP 集射极击穿电压(Vceo):25V 集电极电流(Ic):800mA 功率(Pd):625mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):160@100mA,1V | ¥0.11284 | 4700 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.11284 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):45V 集电极电流(Ic):100mA 功率(Pd):200mW | ¥0.04548 | 6650 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.04548 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):25V 集电极电流(Ic):800mA 功率(Pd):200mW | ¥0.09962 | 5190 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.09962 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):50V 集电极电流(Ic):2A 功率(Pd):900mW Y档 120~240 直脚 | ¥0.54432 | 595 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.54432 | 立即购买 加入购物车 |