分类:
- 分立场效应晶体管 (FET)
制造商:
- 威世半导体 (Vishay Cera-Mite)
- 黑森尔 (Vishay Siliconix)
- 伯恩半导体 (BORN)
- 华轩阳电子 (HXY MOSFET)
- 美森科 (MSKSEMI)
- 台舟 (TECH PUBLIC)
封装:
- SOT-23-3 (TO-236)
久芯自营
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图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.6A（Tc） 最大功耗: 1W（Ta），1.7W（Tc） 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） PDF数据手册 | ¥1.09658 | 22581 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1.09658 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.6A（Tc） 最大功耗: 1W（Ta），1.7W（Tc） 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） PDF数据手册 | ¥2.15612 | 11790 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥2.15612 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.25A（Ta） 最大功耗: 1.25W（Ta） 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） PDF数据手册 | ¥24.27820 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥24.27820 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 暂无 | ¥0.49499 | 6 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.49499 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：2A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：160mΩ@10V | ¥0.47493 | 31350 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.47493 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 暂无 | ¥0.92546 | 6000 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.92546 | 立即购买 加入购物车 | |
| | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：2A 功率(Pd)：1.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：160mΩ@10V | ¥0.51986 | 20640 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.51986 | 立即购买 加入购物车 | |
| | 暂无 | ¥1.03791 | 10638 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1.03791 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 暂无 | ¥0.43177 | 5670 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.43177 | 立即购买 加入购物车 |
SI2309CDS-T1-GE3 规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 长（英寸） | - |
| 部件状态 | 可供货 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 最大栅源极电压 (Vgs) | ±20V |
| 场效应管特性 | - |
| 工作温度 | -55摄氏度~150摄氏度（TJ） |
| 安装类别 | 表面安装 |
| 漏源电压标 (Vdss) | 60 V |
| 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） | 4.5V, 10V |
| 制造厂商 | 威世半导体 (Vishay Cera-Mite) |
| 场效应管类型 | P-通道 |
| 包装/外壳 | 至236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 开启电压 (Vgs(th) @ ld) | 3V @ 250A |
| 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs | 4.1 nC @ 4.5 V |
| 供应商设备包装 | SOT-23-3 (TO-236) |
| 漏源电流 (Id) @ 温度 | 1.6A（Tc） |
| 导通电阻 Rds(ON) | 345毫欧姆 @ 1.25A, 10V |
| 最大输入电容 (Ciss) @ Vds | 210 pF@30 V |
| 最大功耗 | 1W（Ta），1.7W（Tc） |
| 色彩/颜色 | - |
| 数据手册PDF | PDF链接 |