SI2309-HXY
- 描述:类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：2A 功率(Pd)：1.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：160mΩ@10V
- 品牌: 华轩阳电子 (HXY MOSFET)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 0.51985 | 0.51985 |
| 10+ | 0.42737 | 4.27375 |
| 30+ | 0.38112 | 11.43387 |
| 100+ | 0.34645 | 34.64500 |
| 600+ | 0.26588 | 159.53220 |
| 1200+ | 0.25201 | 302.42040 |
- 库存: 20640
- 单价: ¥0.51986
-
数量:
- +
- 总计: ¥0.52
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规格参数
- 类型 P沟道
- 漏源电压(Vdss) 60V
- 连续漏极电流(Id) 2A
- 功率(Pd) 1.5W
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 160mΩ@10V
- 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.6V@250uA
- 输入电容(Ciss@Vds) 444.2pF
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SI2309-HXY所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，SI2309-HXY 由 华轩阳电子 (HXY MOSFET) 设计生产，可通过久芯网进行购买。SI2309-HXY价格参考￥0.519859，你可以下载 SI2309-HXY中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询SI2309-HXY规格参数、现货库存、封装信息等信息！
华轩阳电子 (HXY MOSFET)
华轩阳电子是一家持续研发、销售——高效率，高功率密度，高性能的功率器件生产厂家。产品主要是二极管Diode、三极管Transistor，瞬态抑制ESD、场效应MOS管。应用于电池管理，电源管理，电机控制...
