SI2302-HXY
- 描述:类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.8A 功率(Pd)：900mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：55mΩ@4.5V,2.8A
- 品牌: 华轩阳电子 (HXY MOSFET)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 0.08790 | 0.08790 |
| 10+ | 0.06811 | 0.68116 |
| 60+ | 0.05760 | 3.45654 |
| 120+ | 0.05101 | 6.12156 |
| 480+ | 0.04837 | 23.22192 |
| 1020+ | 0.04661 | 47.55036 |
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规格参数
- 类型 N沟道
- 漏源电压(Vdss) 20V
- 连续漏极电流(Id) 2.8A
- 功率(Pd) 900mW
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 55mΩ@4.5V,2.8A
- 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.2V@250uA
- 输入电容(Ciss@Vds) 260pF@10V
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| SI2302-HXY | 华轩阳电子 (HXY MOSFET) | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.8A 功率(Pd)：900mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：55mΩ@4.5V,2.8A | ¥0.0879 |
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SI2302-HXY所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，SI2302-HXY 由 华轩阳电子 (HXY MOSFET) 设计生产，可通过久芯网进行购买。SI2302-HXY价格参考￥0.087903，你可以下载 SI2302-HXY中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询SI2302-HXY规格参数、现货库存、封装信息等信息！
华轩阳电子 (HXY MOSFET)
华轩阳电子是一家持续研发、销售——高效率，高功率密度，高性能的功率器件生产厂家。产品主要是二极管Diode、三极管Transistor，瞬态抑制ESD、场效应MOS管。应用于电池管理，电源管理，电机控制...
