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F1975NCGI

  • 描述:衰损减幅数值: 31分贝 频率的范围: 5 MHz ~ 3 GHz 阻抗值: 75 Ohms 包装/外壳: 20-WFQFN外露衬垫 安装类别: 表面安装
  • 品牌: 瑞萨电子 (Renesas)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 26.35451 26.35451
200+ 10.20073 2040.14660
490+ 9.84501 4824.05735
980+ 9.66715 9473.81288
  • 库存: 0
  • 单价: ¥26.35451
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥26.35
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 功率(瓦特) -
  • 制造厂商 瑞萨电子 (Renesas)
  • 衰损减幅数值 31分贝
  • 阻抗值 75 Ohms
  • 频率的范围 5 MHz ~ 3 GHz
  • 包装/外壳 20-WFQFN外露衬垫
  • 安装类别 表面安装

F1975NCGI 产品详情

IDT增加了数字步进衰减器(DSA),以满足宽带和CATV市场的苛刻要求,从而扩大了其RF产品组合。超高线性75欧姆DSA采用IDT业界首创的无故障技术,提高了性能。F1975NCGI和F1977提供了非常低的插入损耗和失真,具有比竞争设备更高的功率处理和精确的衰减精度,为客户提供了在其系统中实现更高数据速率所需的性能。无毛刺的功能有助于确保MSB转换期间的低过冲和振铃,75欧姆的阻抗便于在目标应用中集成。此外,F1977是业界首款单片硅、75欧姆无故障、7位DSA,使客户能够实现0.25 dB的增益控制,同时保持业界领先的射频性能。

特色

  • 5 MHz至3000 MHz频率范围
  • 无闪烁™ 低瞬态过冲
  • 低插入损耗<1.2 dB@1 GHz
  • 卓越的线性度+64 dBm IIP3
  • 衰减阶跃误差0.1 dB@1 GHz
  • 串行和并行接口31.5 dB范围
  • 低杂散设计
  • 3 V/5 V电源,1.8 V/3.3 V控制逻辑
  • 能快速的达到定位
  • 2级JEDEC ESD(2 kV HBM)
  • 4x4 mm 20 VFQFPN封装


(图片:引出线)


F1975NCGI所属分类:衰减器,F1975NCGI 由 瑞萨电子 (Renesas) 设计生产,可通过久芯网进行购买。F1975NCGI价格参考¥26.354510,你可以下载 F1975NCGI中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询F1975NCGI规格参数、现货库存、封装信息等信息!

瑞萨电子 (Renesas)

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Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式&mdash;安全可靠。作为微控制器...

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