IS34ML01G084-TLI-TR
- 描述:存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb（128M x 8） 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I
- 品牌: 美国芯成 (ISSI)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1500
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 29.83632 | 29.83632 |
| 200+ | 11.54988 | 2309.97660 |
| 500+ | 11.15052 | 5575.26200 |
| 1500+ | 10.94033 | 16410.50250 |
- 库存: 0
- 单价: ¥29.83632
-
数量:
- +
- 总计: ¥16,410.50
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 制造厂商 美国芯成 (ISSI)
- 储存接口 并联
- 存储类型 Non-Volatile
- 安装类别 表面安装
- 存储格式 FLASH
- 技术 FLASH-NAND（SLC）
- 时钟频率 -
- 单字、单页写入耗时 25纳秒
- 访达时期 25纳秒
- 电源电压 2.7伏~3.6伏
- 包装/外壳 48-TFSOP (0.724", 18.40毫米 Width)
- 工作温度 -40摄氏度~85摄氏度
- 存储容量 1Gb（128M x 8）
- 供应商设备包装 48-TSOP I
IS34ML01G084-TLI-TR 产品详情
Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) announces that it has begun sampling production units of automotive grade serial (SPI) and parallel SLC NAND Flash. ISSI’s SLC NAND Flash product supports a wide operating temperature range of -40°C to +105°C, making it ideal for the next generation automotive, industrial, and Internet of Things (IoT) applications. Both the SPI NAND and parallel NAND Flash devices are AEC-Q100 qualified meeting the stringent automotive qualification requirements. The SPI NAND is currently available in 1 Gb density while the parallel SLC NAND is available in 1 Gb, 2 Gb, and 4 Gb densities. ISSI is working on additional densities of NAND Flash and multi-chip package (MCP) options of serial/parallel NAND/NOR Flash and its DRAM product line.
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IS34ML01G084-TLI-TR所属分类：存储器，IS34ML01G084-TLI-TR 由 美国芯成 (ISSI) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IS34ML01G084-TLI-TR价格参考￥29.836323，你可以下载 IS34ML01G084-TLI-TR中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IS34ML01G084-TLI-TR规格参数、现货库存、封装信息等信息！
美国芯成 (ISSI)
ISSI （芯成半导体有限公司）是Integrated Silicon Solution, Inc. 缩写。1988年成立，专门设计、开发、销售高性能存储半导体产品，用于Internet存储器件、网络设...
