L6395D是用BCD?“离线”技术。它是用于N沟道功率MOSFET或IGBT的单芯片高、低侧栅极驱动器。
高压侧(浮动)部分设计为承受高达600 V的电压轨。逻辑输入为CMOS/TTL兼容,低至3.3 V,便于微控制器/DSP接口。
特色
- 290 mA电源
- 430毫安汇
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 15.74315 | 15.74315 |
10+ | 13.66228 | 136.62282 |
30+ | 12.35911 | 370.77333 |
100+ | 11.03492 | 1103.49200 |
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L6395D是用BCD?“离线”技术。它是用于N沟道功率MOSFET或IGBT的单芯片高、低侧栅极驱动器。
高压侧(浮动)部分设计为承受高达600 V的电压轨。逻辑输入为CMOS/TTL兼容,低至3.3 V,便于微控制器/DSP接口。
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