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L6391D

  • 描述:闸门类型: IGBT,N通道MOSFET 驱动器配置: 半桥 通道类型: 独立的 电源电压: 12.5V ~ 20V 供应商设备包装: 14-SO 安装类别: 表面安装
  • 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

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  • 单价: ¥17.93387
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥17.93
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规格参数

  • 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 部件状态 可供货
  • 驱动器配置 半桥
  • 通道类型 独立的
  • 驱动器数量 two
  • 闸门类型 IGBT,N通道MOSFET
  • 高侧最大电压 (自举) 600 V
  • 工作温度 -40摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 输入类别 非反相
  • 电源电压 12.5V ~ 20V
  • 逻辑电压-VIL、VIH 1.1伏、1.9伏
  • 波峰值电流输出 (灌入,提拉) 290毫安, 430毫安
  • 上升/下降时长(典型值) 75ns, 35ns
  • 包装/外壳 14-SOIC(0.154“,3.90毫米宽)
  • 供应商设备包装 14-SO

L6391D 产品详情

The L6391D is a high voltage device manufactured with the BCD? “OFF-LINE” technology. It is a single-chip half-bridge gate driver for N-channel power MOSFET or IGBT.

The high-side (floating) section is designed to stand a voltage rail up to 600 V. The logic inputs are CMOS/TTL compatible down to 3.3 V for easy interfacing the microcontroller/DSP.
An integrated comparator is available for protections against overcurrent, overtemperature, etc.

Feature

  • 290 mA source
  • 430 mA sink
  • Switching times 75/35 nsec rise/fall with 1 nF load
  • 3.3 V, 5 V TTL/CMOS inputs with hysteresis
  • Integrated bootstrap diode
  • Comparator for fault protections

  • L6391D所属分类:栅极驱动器,L6391D 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产,可通过久芯网进行购买。L6391D价格参考¥17.933872,你可以下载 L6391D中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询L6391D规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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