L6393DTR是使用BCD?“离线”技术。它是用于N沟道功率MOSFET或IGBT的单片半桥栅极驱动器。
高压侧(浮动)部分设计为承受高达600 V的电压轨。
逻辑输入为CMOS/TTL兼容,低至3.3V,便于微控制器/DSP接口。
IC嵌入了一个未提交的比较器,可用于保护过电流、过热等。
特色
- 290毫安电源,
- 430毫安汇

起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 15.93438 | 15.93438 |
| 10+ | 14.32645 | 143.26456 |
| 25+ | 13.51525 | 337.88127 |
| 100+ | 11.51403 | 1151.40380 |
| 250+ | 10.81133 | 2702.83300 |
| 500+ | 9.45995 | 4729.97600 |
| 1000+ | 8.92455 | 8924.55700 |
| 2500+ | 8.92455 | 22311.39250 |
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L6393DTR是使用BCD?“离线”技术。它是用于N沟道功率MOSFET或IGBT的单片半桥栅极驱动器。
高压侧(浮动)部分设计为承受高达600 V的电压轨。
逻辑输入为CMOS/TTL兼容,低至3.3V,便于微控制器/DSP接口。
IC嵌入了一个未提交的比较器,可用于保护过电流、过热等。

意法半导体是一家全球独立的半导体公司,在开发和提供微电子应用领域的半导体解决方案方面处于领先地位。硅和系统专业知识、制造实力、知识产权(IP)组合和战略合作伙伴的无与伦比的结合使该公司处于片上系统(So...