特色
- 系数2.5较低Qg
- 因素2开关损耗的减少
- 低COES/EOSS
- 温和正温度系数VCE（sat）
- Vf的温度稳定性
- 更高的功率密度设计
- VCE降低200mV（sat）
- 在不影响可靠性的情况下，母线电压可能增加50V
- 绿色产品
- 无卤素
应用
电源管理，替代能源
IKP40N65H5XKSA1
- 描述:集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 74 A 最大功率: 255 W 供应商设备包装: PG-TO220-3 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 28.82674 | 28.82674 |
| 10+ | 25.86439 | 258.64396 |
| 100+ | 21.19272 | 2119.27250 |
| 500+ | 18.90107 | 9450.53600 |
- 库存: 0
- 单价: ¥25.20529
-
数量:
- +
- 总计: ¥28.83
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规格参数
- 部件状态 可供货
- IGBT型 -
- 集电极击穿电压 650 V
- 输入类别 标准
- 工作温度 -40摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 安装类别 通孔
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 最大整流电流 (Icm) 120 A
- 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.1V @ 15V, 40A
- 包装/外壳 至220-3
- 门电荷 95 nC
- 最大集电极电流 (Ic) 74 A
- 试验条件 400V, 20A, 15欧姆, 15V
- 反向恢复时长 (trr) 62 ns
- 供应商设备包装 PG-TO220-3
- 开关能量 390J (on), 120J (off)
- 开通/关断延时 (25°C) 22ns/165ns
- 最大功率 255 W
IKP40N65H5XKSA1 产品详情
IKP40N65H5KSA1是TRENCHSTOP中的高速IGBT™ 5技术与RAPID 1快速软反并联二极管共同封装。潮流上衣™ 5 IGBT技术通过为硬开关应用提供无与伦比的效率，重新定义了一流的IGBT。新系列是IGBT创新的重大突破，以满足未来市场的高效率需求。它具有同类最佳的效率，从而降低结和外壳温度，从而提高器件可靠性。
IKP40N65H5XKSA1 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | IKPK7 | 福禄克电子有限公司 (Fluke) | PACK30 INSULATED 5 SCREWDRIVER + | ¥3,404.09057 |
 | IKP15N65F5 | 英飞凌 (Infineon) | IGBT 650V 30A 105W PG-TO220-3 | ¥25.49592 |
 | IKP03N120H2XKSA1 | 英飞凌 (Infineon) | 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 9.6 A 最大功率: 62.5 W 供应商设备包装: PG-TO220-3-1 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥6.15647 |
| IKP10N60T | 英飞凌 (Infineon) | 暂无 | ¥11.70753 |
 | IKP20N60H3 | 英飞凌 (Infineon) | 暂无 | ¥16.18455 |
| IKP15N60T | 英飞凌 (Infineon) | 暂无 | ¥5.57124 |
| IKP20N65H5 | 英飞凌 (Infineon) | 功率(Pd)：125W 集射极击穿电压(Vces)：650V 集电极电流(Ic)：42A | ¥12.15286 |
| IKP39N65ES5 | 英飞凌 (Infineon) | 暂无 | ¥33.4831 |
| IKP15N65H5 | 英飞凌 (Infineon) | 暂无 | ¥14.75527 |
| IKP04N60T | 英飞凌 (Infineon) | 暂无 | ¥14.61864 |
IKP40N65H5XKSA1所属分类：单绝缘栅双极晶体管（IGBT），IKP40N65H5XKSA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IKP40N65H5XKSA1价格参考￥25.205292，你可以下载 IKP40N65H5XKSA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IKP40N65H5XKSA1规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
