IKP20N65H5
- 描述:功率(Pd)：125W 集射极击穿电压(Vces)：650V 集电极电流(Ic)：42A
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
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起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 12.15286 | 12.15286 |
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规格参数
- IGBT类型 -
- 功率(Pd) 125W
- 集射极击穿电压(Vces) 650V
- 集电极电流(Ic) 42A
- 集电极脉冲电流(Icm) 60A
- 集电极截止电流(Ices@Vce) 40uA@650V
- 集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Vge) 1.65V@20A,15V
- 栅极阈值电压(Vge(th)@Ic) 4V@200uA
- 栅极电荷(Qg@Ic,Vge) 48nC@20A,15V
- 输入电容(Cies@Vce) 1.42nF@25V
- 开启延迟时间(Td(on)) 18ns
- 关断延迟时间(Td(off)) 156ns
- 导通损耗(Eon) 0.17mJ
- 关断损耗(Eoff) 0.06mJ
- 正向压降(Vf@If) 1.45V@10A
- 反向恢复时间(Trr) 52ns
- 工作温度 -40℃~+175℃@(Tj)
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IKP20N65H5所属分类：单绝缘栅双极晶体管（IGBT），IKP20N65H5 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IKP20N65H5价格参考￥12.152862，你可以下载 IKP20N65H5中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IKP20N65H5规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
