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APT45GR65B是IGBT 650V 92A 357W TO-247，包括管式封装，设计用于1.340411 oz单位重量的操作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，具有超快NPT-IGBT等商标特征，封装外壳设计用于TO-247-3，以及标准输入类型，该装置也可以用作通孔安装型。此外，供应商设备包为TO-247，该设备为单配置，该设备最大功率为357W，集电器Ic最大值为92A，集电器-发射极击穿最大值为650V，IGBT类型为NPT，集电器脉冲Icm为168A，最大Vge Ic上的Vce为2.4V@15V，45A，开关能量为900μJ（开），580μJ（关），栅极电荷为203nC，25°C时的Td为15ns/100ns，测试条件为433V，45A，4.3 Ohm，15V，Pd功耗为543W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO Max为650 V，集电极/发射极饱和电压为1.9 V，25℃时的连续集电极电流为118A，栅极-发射极漏电流为250nA，最大栅极-发射极电压为30V，连续集电极电压Ic-Max为118A。
APT45GP120J是IGBT 1200V 75A 329W SOT227，包括1200V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在3.9V@15V、45A Vce on Max Vge Ic的情况下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于1.058219盎司，提供了POWER MOS 7 IGBT ISOTOP等商标功能，供应商设备包设计为在ISOTOPR以及POWER MOS 7R系列中工作，该设备也可以用作329W最大功率。此外，Pd功耗为329W，该设备采用ISOTOP封装盒，该设备有一个NTC热敏电阻，安装方式为螺钉，安装类型为底盘安装，最低工作温度范围为-55℃，最高工作温度范围+150℃，最大栅极发射极电压为+/-20V，输入电容Cies Vce为3.94nF@25V，输入为标准，IGBT类型为PT，栅极发射极漏电流为100nA，集电极Ic Max为75A，集电极截止电流为500μA，连续集电极电流Ic Max是75A，25℃时的连续集电极电压为34A，并且配置为单，集电极-发射极电压VCEO Max为1.2kV，集电极/发射极饱和电压为3.3V。
APT45GP120JDQ2是IGBT 1200V 75A 329W SOT227，包括单一配置，它们设计用于750μa集流器最大截止电流，集流器Ic最大值如数据表注释所示，用于75A，提供IGBT类型功能，如PT，输入设计用于标准，以及4nF@25V输入电容Cies Vce，该设备也可以用作底盘安装型。此外，NTC热敏电阻为否，该器件采用ISOTOP封装盒，该器件具有一个封装管，功率最大值为329W，系列为Power MOS 7R，供应商器件封装为ISOTOPR，最大Vge Ic上的Vce为3.9V@15V，45A，电压收集器-发射极击穿最大值为1200V。
