特色
- 25V漏极电源电压
- 25V栅极-源极电压
- 10mA栅极电流
（图片：引出线）
MMBFU310LT1G
- 描述:场效应管类型: n通道 击穿电压（V（BR）GSS）: 25伏 最大功率: 225毫瓦 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 1.52128 | 1.52128 |
| 59+ | 1.44026 | 84.97587 |
| 100+ | 1.35925 | 135.92500 |
- 库存: 55836
- 单价: ¥1.52129
-
数量:
- +
- 总计: ¥1.52
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 最大正向电流 (Id) -
- 最大功率 225毫瓦
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 包装/外壳 至236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备包装 SOT-23-3 (TO-236)
- 电阻-RDS(On) -
- 击穿电压（V（BR）GSS） 25伏
- 漏源电压标 (Vdss) 25伏
- 漏极截止电流 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 24 mA @ 10 V
- 关闭电压 (VGS off) @ Id 2.5 V @ 1 nA
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 5皮法 @ 10V (VGS)
MMBFU310LT1G 产品详情
MMBFU310LT1G是为高频放大器和振荡器设计的N沟道JFET。低RDS（ON）提供更高的效率并延长电池寿命。该设备封装在表面安装封装中，节省了电路板空间。
MMBFU310LT1G 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | MMB70-12GH50-1N-V1 | 倍加福 (Pepperl+Fuchs) | 种类: 转换 频率: 1千赫 电源电压: 8.2V 包装/外壳: 气缸，螺纹-M12 工作温度: -25摄氏度~70摄氏度（TA） | ¥1,616.41496 |
 | MMBT4403WT1 | 安盛美 (onsemi) | TRANS SS GP PNP SS 40V SC70 | ¥0.14468 |
 | MMBD6050LT1 | 安盛美 (onsemi) | DIODE SWITCH 70V SOT23 | ¥0.28936 |
 | MMBD6050LT3 | 安盛美 (onsemi) | DIODE SWITCHING 70V SOT-23 | ¥0.14468 |
| MMBT2222ATT1 | 安盛美 (onsemi) | TRANS NPN GP 75V 600MA SC-75 | ¥0.14468 |
| MMBT3416LT3 | 安盛美 (onsemi) | TRANS NPN GP 25V 100MA SOT-23 | ¥0.14468 |
 | MMBT4124LT1 | 安盛美 (onsemi) | TRANS NPN GP 20V 200MA SOT-23 | ¥0.14468 |
| MMBT4401LT3 | 安盛美 (onsemi) | TRANS NPN GP 40V 600MA SOT-23 | ¥0.14468 |
| MMBZ5239ELT1G | 安盛美 (onsemi) | DIODE ZENER 225MW 9.1V SOT-23 | ¥0.14468 |
 | MMBD4148,215 | 恩智浦 (NXP) | DIODE SWITCH 75V 0.215A TO236AB | ¥0.14468 |
MMBFU310LT1G所属分类：结栅场效应晶体管 (JFET)，MMBFU310LT1G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。MMBFU310LT1G价格参考￥1.521289，你可以下载 MMBFU310LT1G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询MMBFU310LT1G规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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