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APT13GP120BDQ1G是IGBT 1200V 41A 250W TO247，包括POWER MOS 7R系列，它们设计用于管式封装，封装盒如数据表注释所示，用于to-247-3，提供标准输入类型功能，安装类型设计用于通孔，以及to-247[B]供应商设备包，该设备也可以用作250W最大功率。此外，集电器Ic最大值为41A，该器件提供1200V集电器-发射器击穿最大值，该器件具有IGBT型PT，集电器脉冲Icm为50A，最大Vge Ic上的Vce为3.9V@15V，13A，开关能量为115μJ（开），165μJ（关），栅极电荷为55nC，25°C下的Td为9ns/28ns，测试条件为600V，13A、5欧姆，15伏。
APT13GP120BG是IGBT 1200V 41A 250W TO247，包括1200V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在3.9V@15V、13A Vce on Max Vge Ic下工作，测试条件如数据表注释所示，用于600V、13A、5欧姆、15V，提供Td开-关25°C特性，如9ns/28ns，开关能量设计为在115μJ（开）、165μJ（关）下工作，以及TO-247[B]供应商器件包，该器件也可以用作POWER MOS 7R系列。此外，最大功率为250W，器件采用管式封装，器件具有TO-247-3封装外壳，安装类型为通孔，输入类型为标准型，IGBT类型为PT，栅极电荷为55nC，集流器脉冲Icm为50A，集流器Ic最大值为41A。
APT13GP120BDF1带有由APT制造的电路图。APT13GP220BDF1以TO247封装形式提供，是IC芯片的一部分。
