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BSM10GD120DN2是IGBT模块1200V 10A FL BRIDGE,包括IGBT硅模块产品,它们设计用于散装包装,安装方式如数据表注释所示,用于螺丝,提供包装箱功能,如EconoACK 2,配置设计用于十六进制,以及80W Pd功耗,它的最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-40 C,该器件的集电极-发射极电压VCEO Max为1200 V,该器件具有2.7 V的集电极/发射极饱和电压,25 C时的连续集电极电流为15 a,栅极-发射极漏电流为120 nA,最大栅极-发射极电压为+/-20 V。
BSM10GD100DN1,带有西门子制造的用户指南。BSM10GD100DN1在模块包中提供,是模块的一部分。
BSM10GD120DN2E,带有EUPEC制造的电路图。BSM10GD120DN2E在模块包中提供,是模块的一部分。