经济双重™ 3 1200 V,225 A双IGBT模块,带TRENCHSTOP™ IGBT4、发射极控制HE二极管、NTC和PressFIT接触技术。也可作为焊接连接技术的变体:FF225R12ME4。
特色
- 低VCEsat
- Tvj操作=150°C
- 标准外壳
- 紧凑型模块
- 易于和最可靠的组装
- 无需插头和电缆
- 非常适合低电感系统设计
应用
潜在应用
起订量: 4
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经济双重™ 3 1200 V,225 A双IGBT模块,带TRENCHSTOP™ IGBT4、发射极控制HE二极管、NTC和PressFIT接触技术。也可作为焊接连接技术的变体:FF225R12ME4。
潜在应用
1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。