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FF225R12ME4_B11

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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • IGBT型 -
  • 反向恢复时长 (trr) -
  • 开关能量 -
  • 开通/关断延时 (25°C) -
  • 试验条件 -
  • 集电极击穿电压 -
  • 最大集电极电流 (Ic) -
  • 最大整流电流 (Icm) -
  • 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) -
  • 最大功率 -
  • 输入类别 -
  • 门电荷 -
  • 工作温度 -
  • 安装类别 -
  • 包装/外壳 -
  • 供应商设备包装 -
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 样式 -

FF225R12ME4_B11 产品详情

经济双重™ 3 1200 V,225 A双IGBT模块,带TRENCHSTOP™ IGBT4、发射极控制HE二极管、NTC和PressFIT接触技术。也可作为焊接连接技术的变体:FF225R12ME4。

特色

  • 低VCEsat
  • Tvj操作=150°C
  • 标准外壳
  • 紧凑型模块
  • 易于和最可靠的组装
  • 无需插头和电缆
  • 非常适合低电感系统设计

应用

潜在应用

     
FF225R12ME4_B11所属分类:单绝缘栅双极晶体管(IGBT),FF225R12ME4_B11 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FF225R12ME4_B11价格参考¥687.206352,你可以下载 FF225R12ME4_B11中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FF225R12ME4_B11规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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