经济双重™ 3 1200 V，225 A双IGBT模块，带TRENCHSTOP™ IGBT4、发射极控制HE二极管和NTC。也可提供热接口材料，并可根据PressFIT安装技术的变化：FF225R12ME4_B11。
特色
- 低VCEsat
- Tvj操作=150°C
- 标准外壳
- 紧凑型模块
- 易于和最可靠的组装
- 无需插头和电缆
- 非常适合低电感系统设计
应用
- 电机控制和驱动
- 太阳能系统解决方案
- 不间断电源（UPS）
- 工业加热和焊接
FF225R12ME4BDLA1
- 描述:FF225R12 - INSULATEDGATEBIPOLART
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 4
- 库存: 13
- 单价: ¥617.48572
-
数量:
- +
- 总计: ¥2,469.94
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 晶体管类别 -
- 最大集电极电流 (Ic) -
- 集电极击穿电压 -
- 最大饱和压降 (Vce @Ib,Ic) -
- 集电极最大截止电流 -
- 最小直流增益 -
- 最大功率 -
- 特征频率 -
- 工作温度 -
- 安装类别 -
- 包装/外壳 -
- 供应商设备包装 -
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
FF225R12ME4BDLA1 产品详情
FF225R12ME4BDLA1 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| FF2-11-AC-03 | 霍尼韦尔 (Honeywell) | 种类: 簧片开关 输出类别: 数控 电源电压: 230VAC 包装/外壳: 气缸，螺纹 工作温度: -10摄氏度~55摄氏度（TA） | ¥246.71548 |
| FF2-11-DC-03 | 霍尼韦尔 (Honeywell) | 种类: 簧片开关 输出类别: 数控 电源电压: 30伏 包装/外壳: 气缸，螺纹 工作温度: -10摄氏度~55摄氏度（TA） | ¥938.97164 |
| FF2-10-DC-03 | 霍尼韦尔 (Honeywell) | 种类: 簧片开关 输出类别: 数控 电源电压: 30伏 包装/外壳: 气缸，螺纹 工作温度: -10摄氏度~55摄氏度（TA） | ¥209.0095 |
| FF2-10-AC-03 | 霍尼韦尔 (Honeywell) | 种类: 簧片开关 输出类别: 数控 电源电压: 230VAC 包装/外壳: 气缸，螺纹 工作温度: -10摄氏度~55摄氏度（TA） | ¥3,775.3376 |
| FF225R12ME4BDLA1 | 英飞凌 (Infineon) | FF225R12 - INSULATEDGATEBIPOLART | ¥617.48572 |
 | FF200R12KT3EHOSA1 | 英飞凌 (Infineon) | 参数配置: 2独立 集电极击穿电压: 1200伏 最大功率: 1050瓦 供应商设备包装: Module | ¥699.68232 |
 | FF200R12KS4PHOSA1 | 英飞凌 (Infineon) | 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 275 A 最大功率: 1400 W 供应商设备包装: Module | ¥1,220.6701 |
 | FF225R12ME4BOSA1 | 英飞凌 (Infineon) | 参数配置: 2独立 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 320 A 最大功率: 1050瓦 供应商设备包装: Module | ¥1,079.39018 |
 | FF200R33KF2CNOSA1 | 英飞凌 (Infineon) | 参数配置: 2独立 集电极击穿电压: 3300伏 最大集电极电流 (Ic): 330 A 最大功率: 2200 W 供应商设备包装: Module | ¥8,431.00225 |
| FF200R12KS4 | 英飞凌 (Infineon) | 四件套 | ¥674.41554 |
FF225R12ME4BDLA1所属分类：分立双极结型晶体管，FF225R12ME4BDLA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。FF225R12ME4BDLA1价格参考￥617.485721，你可以下载 FF225R12ME4BDLA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FF225R12ME4BDLA1规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
