9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APT25GR120S，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APT25GR120S参考价格$6.06000。微芯片技术APT25GR120S封装/规格：IGBT 1200V 75A 521W D3PAK。您可以下载APT25GR120S英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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APT25GR120BD15是IGBT 1200V 75A 521W TO247，包括管式封装，它们设计用于1.340411盎司单位重量的操作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供商标特征，如超快NPT-IGBT，封装外壳设计用于to-247-3，以及标准输入类型，该装置也可以用作通孔安装型。此外，供应商设备包为TO-247，该设备为单配置，该设备的最大功率为521W，集电器Ic最大值为75A，集电器发射极击穿最大值为1200V，IGBT类型为NPT，集电器脉冲Icm为100A，最大Vge Ic上的Vce为3.2V@15V，25A，开关能量为742μJ（开），427μJ，栅极电荷为203nC，25°C时的Td为16ns/122ns，测试条件为600V、25A、4.3欧姆、15V，Pd功耗为521 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为1.2 kV，集电极/发射极饱和电压为2.5 V，25℃时的连续集电极电流为75A，栅极-发射极漏电流为250nA，最大栅极-发射极电压为30V，连续集电极电压Ic-Max为75A。
APT25GR120B是IGBT 1200V 75A 521W TO247，包括1200V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在最大Vge Ic上以3.2V@15V、25A Vce运行，测试条件如数据表注释所示，用于600V、25A、4.3 Ohm、15V，提供Td开-关25°C特性，如16ns/122ns，开关能量设计为742μJ（开）、427μJ，除了TO-247供应商器件封装外，该器件还可以用作521W最大功率。此外，封装为散装，该器件在TO-247-3封装盒中提供，该器件具有安装类型的通孔，输入类型为标准型，IGBT类型为NPT，栅极电荷为203nC，集流器脉冲Icm为100A，集流器Ic最大值为75A。
APT25GR120BSCD10带有电路图，包括75A集流器Ic Max，它们设计用于100A集流脉冲Icm，栅极电荷如数据表注释所示，用于203nC，提供IGBT类型功能，如NPT，输入类型设计用于标准，以及通孔安装类型，该设备也可以用作to-247-3封装盒。此外，包装为管式，该器件提供521W最大功率，该器件具有供应商器件封装的TO-247，开关能量为434μJ（开）、466μJ（关），25°C下的Td为16ns/122ns，测试条件为600V、25A、4.3 Ohm、15V，最大Vge Ic上的Vce为3.2V@15V、25A，集电极-发射极击穿最大值为1200V。
