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APT34N80LC3G是MOSFET N-CH 800V 34A TO-264，包括卷筒包装，它们设计为以0.373904盎司的单位重量运行，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供TO-264-3等封装外壳功能，技术设计为在Si中工作，以及417 W Pd功耗，其最大工作温度范围为+150℃，它的最低工作温度范围为-55℃，器件的下降时间为6 ns，器件的上升时间为15 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为34 a，Vds漏极-源极击穿电压为800 V，Vgs栅-源极阈值电压为3 V，Rds漏极源极电阻为125 mOhms，并且晶体管极性为N沟道，并且典型关断延迟时间为70ns，并且典型接通延迟时间为25ns，并且Qg栅极电荷为180nC，并且沟道模式为增强。
APT35GA90B是IGBT 900V 63A 290W TO-247，包括900V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在最大Vge Ic上以3.1V@15V、18A Vce运行，测试条件如数据表注释所示，用于600V、18A、10 Ohm、15V，提供Td开-关25°C特性，如12ns/104ns，开关能量设计为在642μJ（开）、382μJ（关）下工作，除了TO-247[B]供应商设备包，该设备还可以用作POWER MOS 8？系列此外，最大功率为290W，器件采用管式封装，器件具有TO-247-3封装外壳，安装类型为通孔，输入类型为标准型，IGBT类型为PT，栅极电荷为84nC，集流器脉冲Icm为105A，集流器Ic最大值为63A。
APT35DL120HJ是二极管模块1.2KV SOT227，包括35A直流正向电流（如果最大），它们设计为与单相二极管类型一起工作，安装类型如数据表注释所示，用于提供SOT-227-4、miniBLOC等封装外壳功能的螺柱底座，封装设计为散装工作，以及1200V电压峰值反向最大值。
