9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APT45GR65B，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APT45GR65B参考价格$4.38000。Microchip Technology APT45GR65B封装/规格：IGBT 650V 92A 357W TO-247。您可以下载APT45GR65B英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如APT45GR65B价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
9icnet.com上标记的生产状态仅供参考。如果你没有找到你想要的，你可以通过电子邮件获得更多有价值的信息，如APT45GR65B库存数量、优惠价格、数据表和制造商。我们很高兴收到您的来信，所以请随时与我们联系。
APT45GP120BG是IGBT 1200V 100A 625W TO247，包括POWER MOS 7R系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于1.340411盎司，提供通孔等安装方式功能，商品名设计用于POWER MOS 7 IGBT，以及to-247-3封装盒，该设备也可以用作标准输入类型。此外，安装类型为通孔，该设备在TO-247[B]供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，最大功率为625W，集电器Ic最大值为100A，集电器发射极击穿最大值为1200V，IGBT类型为PT，集电器脉冲Icm为170A，最大Vge Ic上的Vce为3.9V@15V，45A，开关能量为900μJ（开）、904μJ（关），栅极电荷为185nC，25°C时的Td为18ns/102ns，测试条件为600V、45A、5欧姆、15V，Pd功耗为625 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为1.2 kV，且集电极-发射极饱和电压为3.3V，且25℃时的连续集电极电流为100A，且栅极-发射极漏电流为100nA，且最大栅极-发射极电压为30V，且持续集电极电流Ic-Max为100A。
APT45GP120J是IGBT 1200V 75A 329W SOT227，包括1200V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在3.9V@15V、45A Vce on Max Vge Ic的情况下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于1.058219盎司，提供了POWER MOS 7 IGBT ISOTOP等商标功能，供应商设备包设计为在ISOTOPR以及POWER MOS 7R系列中工作，该设备也可以用作329W最大功率。此外，Pd功耗为329W，该设备采用ISOTOP封装盒，该设备有一个NTC热敏电阻，安装方式为螺钉，安装类型为底盘安装，最低工作温度范围为-55℃，最高工作温度范围+150℃，最大栅极发射极电压为+/-20V，输入电容Cies Vce为3.94nF@25V，输入为标准，IGBT类型为PT，栅极发射极漏电流为100nA，集电极Ic Max为75A，集电极截止电流为500μA，连续集电极电流Ic Max是75A，25℃时的连续集电极电压为34A，并且配置为单，集电极-发射极电压VCEO Max为1.2kV，集电极/发射极饱和电压为3.3V。
APT45GP120JDQ2是IGBT 1200V 75A 329W SOT227，包括单一配置，它们设计用于750μa集流器最大截止电流，集流器Ic最大值如数据表注释所示，用于75A，提供IGBT类型功能，如PT，输入设计用于标准，以及4nF@25V输入电容Cies Vce，该设备也可以用作底盘安装型。此外，NTC热敏电阻为否，该器件采用ISOTOP封装盒，该器件具有一个封装管，功率最大值为329W，系列为Power MOS 7R，供应商器件封装为ISOTOPR，最大Vge Ic上的Vce为3.9V@15V，45A，电压收集器-发射极击穿最大值为1200V。
