9icnet为您提供由IXYS设计和生产的MII150-12A4，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。MII150-12A4价格参考138.57000美元。IXYS MII150-12A4封装/规格：IGBT MOD 1200V 180A 760W Y3DCB。您可以下载MII150-12A4英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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MII145-12A3是MOD IGBT RBSOA 1200V 160A Y4-M5，包括Y4-M5封装盒，它们设计为与底盘安装型一起工作，供应商设备封装如数据表注释所示，用于Y4-M5中，提供标准、配置等输入功能，设计用于半桥，以及700W最大功率，该器件还可以用作160A电流收集器Ic Max。此外，电压收集器发射器击穿最大值为1200V，该器件提供6mA电流收集器截止最大值，该器件具有IGBT类型的NPT，最大Vge Ic上的Vce为2.7V@15V，100A，输入电容Cies Vce为6.5nF@25V，NTC热敏电阻为No。
MII100-12A3是IGBT 1200V 135A SOA/RBSOA，包括1200V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在2.7V@15V、75A Vce on Max Vge Ic下工作，供应商设备包如数据表注释所示，用于Y4-M5，提供功率最大值功能，如560W，包壳设计为在Y4-M5中工作，以及无NTC热敏电阻，该设备也可以用作底盘安装型。此外，输入电容Cies Vce为5.5nF@25V，该设备提供标准输入，该设备具有IGBT型NPT，集电器Ic最大值为135A，集电器截止最大值为5mA，配置为半桥。
MI-I0603-150JJTW，电路图由CTC制造。MI-I0603-150JJTW采用SMD封装，是IC芯片的一部分。
