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FDMC86184

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 57A (Tc) 最大功耗: 54W (Tc) 供应商设备包装: 8-PQFN (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 9000
  • 单价: ¥27.32022
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥27.32
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规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压标 (Vdss) 100伏
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 6V, 10V
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 包装/外壳 8-PowerWDFN
  • 最大功耗 54W (Tc)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 57A (Tc)
  • 供应商设备包装 8-PQFN (3.3x3.3)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 110A
  • 导通电阻 Rds(ON) 8.5毫欧姆 @ 21A, 10V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 20 nC@6 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2090 pF@50 V
  • 样式 -

FDMC86184 产品详情

该N沟道中压MOSFET采用先进的PowerTrench工艺生产,该工艺结合了屏蔽栅技术。该工艺经过优化,以最小化导通电阻,同时使用同类最佳的软体二极管保持优异的开关性能。

特色

  • 屏蔽栅MOSFET技术
  • VGS=10 V,ID=16 A时,最大rDS(开)=12.8 mΩ
  • VGS=6 V,ID=8 A时,最大rDS(开)=34.6 mΩ
  • Qrr比其他MOSFET供应商低50%
  • 降低开关噪声/EMI
  • MSL1稳健封装设计
  • 100%UIL测试
  • 符合RoHS

应用

  • 本产品通用,适用于许多不同的应用。
FDMC86184所属分类:分立场效应晶体管 (FET),FDMC86184 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FDMC86184价格参考¥27.320219,你可以下载 FDMC86184中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FDMC86184规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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