收藏

A2C25S12M3-F

Name: A2C25S12M3-F
Brand: 意法半导体 (STMicroelectronics)
SKU: 7166441-A2C25S12M3-F
Price: 450.055683 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:IGBT型: 场终止沟道参数配置: 带制动器的三相逆变器集电极击穿电压: 1200伏最大集电极电流 (Ic): 25 A 最大功率: 197 W 供应商设备包装: ACEPACK2.
品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
交期:5-7 工作日

渠道:

自营
得捷
贸泽

起订量: 1

数量	单价	合计
1+	495.08289	495.08289

库存: 1
单价: ¥450.05568
数量:
- +
总计: ¥495.08

在线询价

温馨提示: 请填写以下信息，以便客户代表及时与您沟通联系。

规格参数

部件状态可供货
IGBT型场终止沟道
集电极击穿电压 1200伏
安装类别机箱安装
包装/外壳模块
工作温度 -40摄氏度~150摄氏度（TJ）
NTC热敏电阻 Yes
输入值三相桥式整流器
最大集电极电流 (Ic) 25 A
参数配置带制动器的三相逆变器
集电极最大截止电流 100A.
制造厂商意法半导体 (STMicroelectronics)
最大功率 197 W
导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.45V @ 15V, 25A
输入电容 (Cies) @ Vce 1.55 nF@25 V
供应商设备包装 ACEPACK2.
色彩/颜色灰色

A2C25S12M3-F 产品详情

意法半导体？ACEPACK？IGBT模块是为解决电源管理解决方案和工业应用而开发的一系列新型塑料功率模块。ACEPACK？1和ACEPACK？引入了2个封装，包括变频器逆变器制动器（CIB）和集成了先进沟槽栅极场停止技术的6个封装拓扑。这些ACEPACK IGBT模块具有ACEPACK 1或ACEPACK 2电源模块、集成负温度系数（NTC）和CIB或六组拓扑结构。这些模块通过代表传导损耗和开关损耗之间的最佳折衷，以最大化20kHz的效率，涵盖了新IGBT技术的适当使用。这些IGBT模块非常适用于工业电机驱动、太阳能电池板、焊接和逆变器。

特色

ACEPACK2电源模块
- DBCCuAl2O3Cu
变频器变频器制动器拓扑
- 1600V，用于转换器的极低压降整流器
- 1200V，25AIGBT和二极管
- 软恢复和快速恢复二极管
集成NTC
UL识别：UL1557，文件E81734
隔离率2500Vrms/min
符合RoHS

A2C25S12M3-F 相关器件

型号	制造商	描述	价格
A2C38-A-C8	泛达 (Panduit)	种类: U型夹子色彩/颜色: 灰色安装类别: 胶粘剂	¥5.77272
A2C50-A-C8	泛达 (Panduit)	种类: U型夹子色彩/颜色: 灰色安装类别: 胶粘剂	¥5.38248
A2C25-A-C8	泛达 (Panduit)	种类: U型夹子色彩/颜色: 灰色安装类别: 胶粘剂	¥5.48408
A2C12-A-C8	泛达 (Panduit)	种类: U型夹子色彩/颜色: 灰色安装类别: 胶粘剂	¥4.47386
A2C00051729 A	英飞凌 (Infineon)	IC GATE NOR	¥43.87267
A2C00061887 A	英飞凌 (Infineon)	IC GATE NOR	¥13.69578
A2C00063405 A	英飞凌 (Infineon)	IC GATE NOR	¥123.80464
A2C00064358 A	英飞凌 (Infineon)	IC GATE NOR	¥58.62197
A2C01507400 A	英飞凌 (Infineon)	IC MEMORY NOR 16SOIC	¥27.03076
A2C0006273800 A	英飞凌 (Infineon)	IC MEMORY NOR SPEC CUSTOMER	¥26.03497

A2C25S12M3-F所属分类：绝缘栅双极晶体管（IGBT）模块，A2C25S12M3-F 由意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产，可通过久芯网进行购买。A2C25S12M3-F价格参考￥450.055683，你可以下载 A2C25S12M3-F中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询A2C25S12M3-F规格参数、现货库存、封装信息等信息！