特色
- 80A，30VRDS（开启）=0.0035Ω@VGS=10 VRDS（打开）=0.0045Ω@VGS=4.5 V
- 高温下规定的临界直流电参数
- 坚固的内部源极-漏极二极管可以消除对外部齐纳二极管瞬态抑制器的需要
- 用于极低RDS（ON）的高性能沟槽技术
- 175°C最大结温额定值
应用
- 本产品通用，适用于许多不同的应用。
- DC/DC电源设计
FDP8030L
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Ta) 最大功耗: 187W（Tc） 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 1031
- 单价: ¥44.54384
-
数量:
- +
- 总计: ¥44.54
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 安装类别 通孔
- 供应商设备包装 TO-220-3
- 包装/外壳 至220-3
- 漏源电压标 (Vdss) 30伏
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2V@250A.
- 工作温度 -65摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 部件状态 过时的
- 最大功耗 187W（Tc）
- 漏源电流 (Id) @ 温度 80A (Ta)
- 导通电阻 Rds(ON) 3.5欧姆@80A，10V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 170 nC@5 V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 10500 pF@15 V
FDP8030L 产品详情
该N沟道逻辑电平MOSFET专门设计用于使用同步或常规开关PWM控制器来提高DC/DC转换器的整体效率。这些MOSFET具有比具有类似RDS（on）规格的其他MOSFET更快的开关速度和更低的栅极电荷。其结果是MOSFET易于驱动且更安全（即使在非常高的频率下），DC/DC电源设计具有更高的整体效率。
FDP8030L 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | FDP-1500 | 松下工业自动化 (Panasonic) | PROTECT TUBE M6 DIF. FIBER 1.5M | ¥220.18416 |
 | FDP-N500 | 松下工业自动化 (Panasonic) | PROTECT TUBE M4 DIF. FIBER 500MM | ¥169.48386 |
 | FDP-500 | 松下工业自动化 (Panasonic) | PROTECT TUBE M6 DIF. FIBER 500MM | ¥169.48386 |
 | FDP-1000 | 松下工业自动化 (Panasonic) | PROTECT TUBE M6 DIF. FIBER 1M | ¥203.52549 |
| FDP-N1000 | 松下工业自动化 (Panasonic) | PROTECT TUBE M4 DIF. FIBER 1M | ¥203.52549 |
 | FDP-N1500 | 松下工业自动化 (Panasonic) | PROTECT TUBE M4 DIF. FIBER 1.5M | ¥220.18416 |
 | FDPC8011S | 安盛美 (onsemi) | MOSFET 2N-CH 25V 13A/27A 8PQFN | ¥13.03722 |
| FDPC3D5N025X9D | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 74A 供应商设备包装: 12-PQFN（3.3x3.3） 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1,377.19398 |
 | FDPF320N06L | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 21A（Tc） 最大功耗: 26W（Tc） 供应商设备包装: TO-220F-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥6.66347 |
 | FDP18N50 | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A（Tc） 最大功耗: 235W（Tc） 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥21.36656 |
FDP8030L所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，FDP8030L 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。FDP8030L价格参考￥44.543835，你可以下载 FDP8030L中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FDP8030L规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
