9icnet为您提供由Alpha&Omega Semiconductor Inc.股份有限公司设计和生产的AO4304，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。AO4304参考价格为3.204美元。Alpha&Omega Semiconductor Inc.股份有限公司AO4304封装/规格：MOSFET N CH 30V 18A 8SOIC。您可以下载AO4304英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，如AO4304价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
AO4292带有引脚细节，包括AlphaMOS系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，数据表注释中显示了用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）的包装箱，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），安装型设计用于表面安装，以及8-SOIC供应商器件封装，该器件也可以用作MOSFET N沟道、金属氧化物FET型。此外，功率最大值为3.1W，该器件提供100V漏极到源极电压Vdss，该器件具有1190pF@50V输入电容Cis Vds，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为8A（Ta），最大Id Vgs上的Rds为23mOhm@8A，10V，Vgs最大Id为2.7V@250μa，栅极电荷Qg Vgs为25nC@10V。
AO4302是MOSFET N-CH 30V 23A 8SOIC，包括2.3V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于使用8-SOIC供应商器件封装，Rds On Max Id Vgs如数据表注释所示，用于4 mOhm@20A，10V，提供功率最大特性，如3.6W，封装设计用于Digi-ReelR替代封装，以及8-SOIC（0.154英寸，3.90mm宽）封装外壳，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）此外，安装类型为表面安装，该器件提供3470pF@15V输入电容Ciss Vds，该器件具有63nC@10V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，FET特性为标准，漏极-源极电压Vdss为30V，电流连续漏极Id 25°C为23A（Ta）。
带电路图的AO4286 AO4286采用8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET N-CH 100V 4A 8SOIC、N沟道100V 4A（Tc）2.5W（Ta）表面安装8-SOIC、Trans MOSFET N-CH100V 4A 8引脚SOIC。
