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AO4606

Name: AO4606
Brand: 广东友台半导体 (UMW)
SKU: 27351181-AO4606
Price: 1.642204 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:类型：1个N沟道和1个P沟道
品牌: 广东友台半导体 (UMW)
交期:2-3 工作日

渠道:

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得捷
贸泽

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起订量: 1

数量	单价	合计
1+	0.86219	0.86219
10+	0.70253	7.02532
30+	0.62270	18.68103
100+	0.52317	52.31760
600+	0.47527	285.16740
1200+	0.45132	541.59240

库存: 11070
单价: ¥1.64220
数量:
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规格参数

类型 1个N沟道和1个P沟道
漏源电压(Vdss) -
连续漏极电流(Id) -
功率(Pd) -
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) -
阈值电压(Vgs(th)@Id) -
栅极电荷(Qg@Vgs) -
输入电容(Ciss@Vds) -
反向传输电容(Crss@Vds) -

AO4606 相关器件

型号	制造商	描述	价格
AO4407C		类型：P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：14A 功率(Pd)：3.1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：11.5mΩ@10V,14A 产地：重庆	¥1.54346
AO4882-MS	美森科 (MSKSEMI)	类型：2个N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：1.9W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：25mΩ@10V,6A 4882	¥1.73742
AO4616(UMW)	广东友台半导体 (UMW)	暂无	¥1.14847
AO4435-HXY	华轩阳电子 (HXY MOSFET)	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：9A 功率(Pd)：2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：20mΩ@10V,7A	¥1.1367
AO4410-HXY	华轩阳电子 (HXY MOSFET)	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：15A 功率(Pd)：1.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：9mΩ@10V,10A	¥0.98694
AO4606	广东友台半导体 (UMW)	类型：1个N沟道和1个P沟道	¥1.6422
AO4435	广东友台半导体 (UMW)	暂无	¥1.46162
AO4407-HXY	华轩阳电子 (HXY MOSFET)	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：15mΩ@10V,10A	¥1.17054
AO4411(UMW)	广东友台半导体 (UMW)	暂无	¥0.86192
AO4419(UMW)	广东友台半导体 (UMW)	暂无	¥0.69013

AO4606所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，AO4606 由广东友台半导体 (UMW) 设计生产，可通过久芯网进行购买。AO4606价格参考￥1.642204，你可以下载 AO4606中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询AO4606规格参数、现货库存、封装信息等信息！