9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APT56M60L，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APT56M60L参考价格$14.98200。Microchip Technology APT56M60L封装/规格：MOSFET N-CH 600V 60A TO264。您可以下载APT56M60L英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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APT56M50L是MOSFET N-CH 500V 56A TO-264，包括卷筒包装，它们设计为以0.373904盎司的单位重量运行，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供POWER MOS 8等商标功能，包装盒设计为在TO-264-3中工作，以及Si技术，该设备还可以用作780 W Pd功耗，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，器件的下降时间为33 ns，上升时间为45 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为56 a，Vds漏极-源极击穿电压为500 V，Vgs栅-源极阈值电压为4 V，Rds导通漏极-源极电阻为85mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为100ns，典型接通延迟时间为38ns，Qg栅极电荷为220nC，正向跨导最小值为43S，沟道模式为增强。
APT56M50B2是MOSFET功率MOSFET-MOS8，包括4 V Vgs栅源阈值电压，它们设计为在30 V Vgs栅极-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于500 V，提供典型的开启延迟时间功能，如38 ns，典型的关闭延迟时间设计为100 ns，除了N沟道晶体管极性之外，该器件还可以用作POWER MOS 8商标。此外，该技术为Si，器件在45 ns上升时间内提供，器件具有85 mOhms的Rds漏极-源极电阻，Qg栅极电荷为220 nC，Pd功耗为780 W，封装为卷轴，封装外壳为T-Max-3，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为56A，正向跨导最小值为43S，下降时间为33ns，信道模式为增强。
APT56M60B2是MOSFET N-CH 600V 56A T-MAX，包括增强信道模式，它们设计为在60 ns下降时间下工作，数据表注释中显示了55 S中使用的正向跨导最小值，提供Id连续漏极电流功能，如60 a，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-55 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，封装外壳为T-Max-3，器件提供1.040 kW Pd功耗，器件具有280 nC的Qg栅极电荷，Rds漏极-源极电阻为90 mOhms，上升时间为75 ns，技术为Si，商品名为Power MOS 8，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为190 ns，典型接通延迟时间为65 ns，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Vgs栅极-源极电压为30V，Vgs第栅极-源极端电压为4V。
