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APT18M80B是MOSFET N-CH 800V 19A TO-247，包括卷轴封装，它们设计为以0.229281盎司的单位重量运行，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供TO-247等封装盒功能，技术设计为在Si中工作，以及单配置，该设备也可以用作500 W Pd功耗，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，器件的下降时间为27纳秒，上升时间为31纳秒，Vgs栅极-源极电压为+/-30 V，Id连续漏极电流为19 a，Vds漏极-源极击穿电压为800 V，Vgs栅-源极阈值电压为4 V，Rds导通漏极-源极电阻为530mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为95ns，典型接通延迟时间为21ns，Qg栅极电荷为120nC，正向跨导最小值为17S，沟道模式为增强。
APT18M80S是MOSFET功率MOSFET-MOS8，包括硅技术。
APT18MM100B带有APT制造的电路图。APT18MP100B采用TO-3P封装，是IC芯片的一部分。
